Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 11 » Статья стр. 1359
<<<>>>
Рентгенодифракционные исследования многослойных гетероструктур InAs--GaAs с квантовыми точками InAs
Фалеев Н.Н.1, Павлов К.М.2, Пунегов В.И.2, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Михрин С.С.1, Устинов В.М.1, Tabuchi M.3, Takeda Y.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Сыктывкарский государственный университет им. Питирима Сорокина, Сыктывкар, Россия
3Department of Materials Science & Engineering, Nagoya University, 464--, Nagoya, Japan
Поступила в редакцию: 23 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
PDF версия
Многослойные структуры InAs-GaAs с массивом вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии, были исследованы методами Crystal Truncation Rods и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Показано, что формирование в структурах рассеивающих объектов типа вертикально совмещенных квантовых точек существенно влияет на механизм дифракционного рассеяния рентгеновского излучения, меняет пространственное распределение дифрагируемого излучения. Это объясняется появлением в периодических структурах дополнительного дальнего порядка в латеральном расположении рассеивающих объектов, изгибом кристаллографических плоскостей в периодической части структуры и квазипериодичностью деформационного рельефа, обусловленного вертикально связанными квантовыми точками. Наблюдаемое пространственное распределение дифрагируемой интенсивности качественно объясняется в рамках новой модели, в которой рассеивающие слои с квантовыми точками состоят из бездефектных, когерентно сопряженных кластеров InAs и GaAs.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu. Jap. J. Appl. Phys., 24, L95 (1985)
  3. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. LeRoux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  4. Y. Arakawa, A. Yariv. IEEE J. Quant Electron., QE-22, 1887 (1986)
  5. M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu. IEEE J. Quant Electron., QE-22, 1915 (1986)
  6. M. Tabuchi, S. Noda, A. Sasaki. In: Science and Technology of Mesoscopic Structures, ed. by. S. Namba, C. Hamaguchi, T. Ando (Tokyo, Springer Verlag, 1992)
  7. Nanostructures and Qantum Effects, ed. by H. Sakaki and H. Noge (Berlin, Springer Verlag, 1994)
  8. Epitaxial Microstructures, ed. by A.C. Gossard. Semiconductors and Semimetals (Academic Press, Boston, 1994) v. 40
  9. П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш. ФТП, 32, 1229 (1998)
  10. L. Tapfer, K. Ploog. Phys. Rev. B, 40, 9802 (1989); L. Tapfer, M. Ospelt, H. Kanel. J. Appl. Phys., 67, 1298 (1990)
  11. N.N. Faleev, I.K. Solomin, L.I. Flaks, S.V. Batashova, S.G. Konnikov. Phys. St. Sol. (a), 120, 327 (1990)
  12. T. Shimura, J. Harada. J. Appl. Cryst., 26, 151 (1993)
  13. A.M. Afanas'ev, P.A. Aleksandrov, S.S. Fanchenko, V.A. Chaplanov, S.S. Yakimov. Acta Cryst. A, 42, 116 (1986)
  14. N. Faleev, R. Stabenow, M. Sinitsyn, B. Yavich, A. Haase, A. Grudsky. Mater. Sci. Forum, 166--169, 293 (1994)
  15. В.Г. Груздов, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 20, вып. 14, 1 (1994)
  16. L. Dong, J. Schnitker, R.W. Smith, D.J. Srtolovitz. J. Appl. Phys., 83, 217 (1998)
  17. Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.А. Суворова, В.В. Чалдышев, P. Werner. ФТП, 32, 769 (1998)
  18. Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков. ФТП, 32, 24 (1998)
  19. D. Suzuki, H. Yamaguchi, Y. Horikoshi. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 758 (1998)
  20. S. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn., 26, 1239 (1969)
  21. P.F. Fewster, C.J. Curling. J. Appl. Phys., 62, 4154 (1987)
  22. V. Holy, A.A. Darhuber, G. Bauer, P.D. Wang, Y.P. Song, C.M. Sotomayor Torres, M.C. Holland. Phys. Rev. B, 52, 8348 (1995)
  23. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
  24. S. Rouvimov, Z. Liliental-Weber, W. Swider, J. Washburn, E.R. Weber, A. Sasaki, A. Wakahara, Y. Furkawa, T. Abe, S. Noda. J. Electron. Mater., 27, 427 (1998)
  25. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)
  26. A.A. Darhuber, V. Holy, J. Stangl, G. Bauer, A. Krost, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberf, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 70, 955 (1997)
  27. K.M. Pavlov, V.I. Punegov. Acta Cryst. A, 54, 214 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme