Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Распределение водорода в кремнии и карбиде кремния после высокотемпературного протонного облучения

Козловский В.В.¹, Козлов В.А.²

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом вторично-ионной масс-спектрометрии изучено распределение водорода в Si и SiC после высокотемпературного протонного облучения (T_irr=20-700^oC). Показано, что в SiC профили концентрации водорода слабо зависят от температуры облучения. В Si заметное изменение профиля наблюдается уже при T_irr~=300^oC, а при T_irr~=700^oC профиль полностью утрачивает градиент своей концентрации.

И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники (М., Энергоатомиздат, 1997)
M. Bruel. Electron. Let., 31, 1201 (1995)
Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Б.А. Шустров. ФТП, 26, 3 (1992)
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками (М., Машиностроение, 1987). [Пер. с англ.: Surface modification and alloying by Laser, Ion, and Electron Beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti, D.C. Jacobson (N.Y., Plenum Press, 1983)]
Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом (М., Высш. шк., 1994). [Пер. с англ.: Interaction of Charged Particles with Solids and Surfaces. Ed. by A. Gras-Marti, H.M. Urbassek, N.R. Arista, F. Flores (N. Y., Plenum Press, 1991)]
Е.Д. Горнушкина, В.А. Дидик, В.В. Козловский, Р.Ш. Малкович. ФТП, 25, 2044 (1991)
S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, 1992) p. 225
В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Ю.Л. Нуров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель