Поведение примеси марганца в Hg3In2Te6
Грушка О.Г.1, Грушка З.М.1, Фрасуняк В.М.1, Герасименко В.С.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Исследовано поведение примеси марганца в соединении Hg3In2Te6. В легированных кристаллах концентрация носителей заряда остается значительно меньше содержания примеси. Введение марганца в Hg3In2Te6 не изменяет положения уровня Ферми, который расположен вблизи середины запрещенной зоны материала. Электропроводность остается собственной вплоть до температуры 150 K. Показано, что марганец в решетке Hg3In2Te6 находится в зарядовом состоянии Mn2+ (3d5) и не приводит к появлению новых химических связей в матрице, при этом влияет на структуру ближнего порядка. При NMn<9.2· 1019 cm-3 Hg3In2Te6 обладает более высокими значениями подвижностей носителей заряда, чем в нелегированном материале.
- G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Advanced Mater., 4 (1), 36 (1997)
- B.M. Кошкин, Л.В. Атрощенко. ФТП, 9, 3120 (1967)
- И.А. Драпкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15, 625 (1981)
- Ф.С. Насрединов, В.И. Подхалюзин, И.П. Серегин, Х.У. Чирнер, Р. Ренч, Т. Борн. ФТП, 20, 1166 (1986)
- Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, Л.Н. Курбатов. ФТП, 13, 961 (1979)
- Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
- Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменок, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, В.Л. Хейфец. Неорг. матер., 16, 1534 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук