Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О природе зародышей для образования термодоноров в кремнии (или еще один вариант ускоренной диффузии кислорода)
Неймаш В.Б.1, Пузенко Е.А.1, Кабалдин А.Н.1, Крайчинский А.Н.1, Красько Н.Н.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 21 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Методом 4-зондовых измерений удельного электросопротивления исследовано влияние предварительной термообработки при 800oC (ПТО-800) на кинетику накопления и отжига термодоноров, образующихся при 450oC в монокристаллах кремния. Обнаружено существенное увеличение энергий активации генерации и отжига термодоноров после ПТО-800. Экспериментальные результаты обсуждены с учетом роли различных фазовых состояний кислорода в исходном Si. Предложена интерпретация, учитывающая влияние внутренних упругих напряжений решетки Si, созданных микроскопическими флуктуациями концентрации кислорода и термодоноров, на коэффициент диффузии атомов кислорода. Количественная оценка размеров микроскопических флуктуаций дает величину порядка сотен ангстремов. Кинетика генерации и отжига термодоноров описывается в рамках модели Кайзера-Фриша-Рейса с учетом локально ускоренной (в областях микроскопических флуктуаций) диффузии кислорода. В микроскопических флуктуациях находится порядка 1-3% общего числа атомов кислорода в кристалле. Это затрудняет наблюдение ускоренной диффузии кислорода прямыми методами, однако достаточно для генерации термодоноров.
- C.S. Fuller, J.A. Ditzenberg, N.B. Hannay, E. Buehler. Phys. Rev., 96(3), 833 (1954)
- В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Наук. думка, 1997)
- L.I. Murin, V.P. Markevich. Proc. Int. Conf. on Science and Technology of Defect Control in Semiconductors, Yokohama, Japan, 1989, ed. by K. Sumino (North-Holland, Amsterdam, 1990) p. 190
- W. Kaizer, H. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112(2), 1546 (1958)
- О.М. Кабалдiн, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.I. Шаховцов, В.С. Штим. УФЖ, 40(3), 218 (1995)
- А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, А.В. Батунина, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин. УФЖ, 38(1), 34--39 (1993)
- О.М. Кабалдiн, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, Л.I. Шпiнар. УФЖ, 40(10), 1079 (1995)
- Н.Т. Баграев, Н.А. Витовский, Л.С. Власенко, Е.В. Машовец, О. Рахимов. ФТП, 17(11), 1979 (1983)
- Д.И. Бринкевич, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, В.В. Петров. ФТП, 26(4), 682 (1992)
- V.P. Markevich, L.I. Murin. Phys. St. Sol (a), 111(2), K149 (1989)
- Ю.М. Бабицкий, П.М. Гринштейн, М.А. Ильин, В.П. Кузнецов. ФТП, 18(7), 1280 (1984)
- Л.А. Казакевич, П.Ф. Луганов. Электрон техн., сер. Материалы, N 9, 170 (1982)
- G.D. Watkins, J.W. Corbett, R.S. McDonald. J. Appl. Phys., 53(10), (1982)
- Л.И. Мурин, В.П. Маркевич. ФТП, 22(7), 1324 (1988)
- R.C. Newman, M.J. Binns, F.M. Livingston, S. Messoloras. Physica B, 116(1--3), 264 (1983)
- Y. Takano, M. Maki. In: Semiconductor silicon 1973, ed. by H.R. Huff and R.R. Burgess (Elecrochemical Society, Pennington, 1973) p. 469
- J.C. Mikkelsen, Jr. Appl. Phys. Lett., 40(4), 336 (1982)
- M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42(1), 73 (1983).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
