Вышедшие номера
Донорно-акцепторная фотолюминесценция слабо компенсированного GaN : Mg
Некрасов В.Ю.1, Беляков Л.В.1, Сресели О.М.1, Зиновьев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Представлен анализ время-разрешенных спектров фотолюминесценции легированных магнием слоев нитрида галлия, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках из GaAs и сапфира. Обнаружены новые характерные особенности примеси Mg и ее взаимодействия с собственными дефектами, проявляющиеся благодаря механизму донорно-акцепторной рекомбинации. Теоретически рассмотрены оптические переходы донор-акцептор в легированном слабо компенсированном широкозонном полупроводнике в предположении неслучайного распределения примесей. Количественный анализ спектров донорно-акцепторной фотолюминесценции, выполненный для различных образцов эпитаксиальных слоев GaN : Mg, обнаружил в распределении доноров и акцепторов обеднение на близких расстояниях и(или) наличие преимущественного расстояния между примесями (сингулярности) в зависимости от условий роста слоев. Из сравнения расчетных и экспериментальных зависимостей время-разрешенной фотолюминесценции определены: форма межпримесной функции распределения, концентрация легирующей примеси, энергии связи акцепторов (атомов Mg) и активных доноров.