Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Донорно-акцепторная фотолюминесценция слабо компенсированного GaN : Mg
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 21 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Представлен анализ время-разрешенных спектров фотолюминесценции легированных магнием слоев нитрида галлия, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках из GaAs и сапфира. Обнаружены новые характерные особенности примеси Mg и ее взаимодействия с собственными дефектами, проявляющиеся благодаря механизму донорно-акцепторной рекомбинации. Теоретически рассмотрены оптические переходы донор-акцептор в легированном слабо компенсированном широкозонном полупроводнике в предположении неслучайного распределения примесей. Количественный анализ спектров донорно-акцепторной фотолюминесценции, выполненный для различных образцов эпитаксиальных слоев GaN : Mg, обнаружил в распределении доноров и акцепторов обеднение на близких расстояниях и(или) наличие преимущественного расстояния между примесями (сингулярности) в зависимости от условий роста слоев. Из сравнения расчетных и экспериментальных зависимостей время-разрешенной фотолюминесценции определены: форма межпримесной функции распределения, концентрация легирующей примеси, энергии связи акцепторов (атомов Mg) и активных доноров.
- H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. J. Electrochem. Soc., 137, 1639 (1990); I. Akasaki, H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu. J. Luminescence, 48\&49, 666 (1991)
- T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki. J. Cryst. Growth, 145, 192 (1994)
- M. Ilegems, R. Dingle. J. Appl. Phys., 44, 4234 (1973); R. Dingle, M. Ilegems. Solid State Commun., 9, 175 (1973)
- D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev., 140, 202 (1965); C.H. Henry, R.A. Faulkner, K. Nassau. Phys. Rev., 183, 798 (1969); P.J. Dean. Progress in Solid State Chemistry, ed. by J.O. McCaldin and G. Somorjai (Oxford, Pergamon Press, 1973), v. 8, p. 1
- F. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968)
- T.S. Cheng, C.T. Foxon, N.J. Jetts, D.J. Dewsnip, L. Flannery, J.W. Orton, S.V. Novikov, B.Ya. Ber, Yu.A. Kudriavtsev. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 2, article 13 (1997)
- W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 3144 (1996)
- W. Gotz, N.M. Johnson, J. Walker, D.P. Bour, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 67, 2666 (1995)
- W. Gotz, N.M. Johnson, D.P. Bour. Appl. Phys. Lett., 68, 3470 (1996)
- P. Hacke, H. Nakayama, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Appl. Phys. Lett., 68, 1362 (1996)
- M. Smith, G.D. Chen, J.Y. Lin, H.X. Jiang, A. Salvador, B.N. Sverdlov, A. Botchkarev, H.M. Morko c, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 68, 1883 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
