Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства фотодиодов на основе Hg_1-xMn_xTe

Косяченко Л.А.¹, Раренко И.М.¹, Боднарук О.А.¹, Вейгуа Сун²

¹Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
²Институт оптоэлектроники, Лоян, Китайская Народная Республика

Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены электрические свойства при 80 K p-n-переходов, полученных ионным травлением p-Hg_0.91Mn_0.09Te. Показано, что при прямом смещении вольт-амперная характеристика диодов определяется рекомбинацией носителей в области пространственного заряда, причем при повышенных напряжениях зависимость рекомбинационного тока от напряжения деформирована из-за падения напряжения на содержащемся в диодной структуре высокоомном слое. При обратном смещении доминирующим механизмом переноса заряда является туннелирование носителей. При больших обратных напряжениях ударная ионизация высокоэнергетичными носителями обусловливает дополнительное возрастание тока.

J.K. Furduna. J. Vac. Sci. Technol., 21(1), 220 (1982)
R. Tribonlet. Semicond. Sci. Technol., 5, 1073 (1990)
A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
P. Becla. J. Vac. Sci. Technol., A4, 2014 (1986)
E. Janik, G. Karczewski. Acta Phys. Polon., A73, 439 (1998)
P. Brogowski, H. Mucha, J. Piotrowski. Phys. St. Sol. (a), 114, K37 (1989)
Л.А. Косяченко, I.M. Раренко, О.О. Боднарук, Сун Вейгуа, Ху Женг Ксiонг. Научный вестник Черновицкого университета. Физика (Черновцы, Рута, 1998) вып. 40. с. 59
О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, С.Э.Остапов, И.М. Раренко, В.П. Шафранюк, С.В. Ничий. Неорг. матер., 31, 1347 (1995)
Sun Weiguo, L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko. J. Vac. Sci. Technol., A15(4), 2202 (1997)
C. Sah, R. Noice, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
L.A. Kosyachenko, M.M. Slyotov, D.V. Galchenkov, L.I. Voyevidko. УФЖ, 39, 1001 (1994)
L.O. Bubulac. J. Cryst. Growth., 86, 723 (1988)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель