Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоприемники на основе кремния, легированного осмием
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 6 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
В данной работе созданы фотоприемники с низким управляющим напряжением на кремнии, легированном осмием. В качестве исходного материала выбран n-Si. Легирование кремния осмием осуществлялось диффузионным методом. Исследованы характеристики структур при 300 K.
- С.А. Азимов, М.С. Юнусов, Г. Нуркузиев, Ф.Р. Каримов. ФТП, 12, 1655 (1978)
- А.В. Каримов, Г. Нуркузиев. ДАН РУз, N 6 (1993)
- М. Балкански, П. Лалеман. Фотоника (М., Мир, 1978)
- Техника оптической связи --- фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988)
- С.А. Азимов, Р.А. Муминов, С.Х. Шамирзаев, А.Я. Яфасов. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения (Ташкент, Фан, 1981)
- Полупроводниковые формирователи сигналов изображения, под ред. П. Йесперса, Ф.Ванде, М. Хайта (М., Мир, 1979)
- Г.К. Полторапавлова, Н.П. Удалов. Фототиристоры (М., Энергия, 1971)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
