Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неполяризующиеся детекторы излучений на основе монокристаллов широкозонных полупроводников
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
2Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Широкозонные изолирующие полупроводниковые кристаллы весьма перспективны для создания фотоэлектрических приборов, особенно детекторов электромагнитных и ядерных излучений, но ширико не используются из-за поляризации приборов в процессе работы. В процессе работы в детекторах на таких кристаллах с большой концентрацией глубоких примесных уровней накапливаются электрические заряды, вызывающие изменение со временем напряженности электрического поля в кристалле и величины фотоотклика детектора. Так как избавиться от примесных центров в таких кристаллах в настоящее время не представляется возможным, предлагаются новые подходы к созданию на них неполяризующихся со временем детекторов-дозиметров излучений, основанные на полезном использовании образующихся в них поляризационных зарядов.
- П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин. Письма ЖЭТФ, 23(4), 23 (1997)
- П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин. Письма ЖЭТФ, 24(22), 64 (1998)
- Н.П. Богородицкий, В.В. Пасынков. Материалы в радиоэлектронике (М., Госэнергоиздат, 1961)
- И.А. Зеленин, П.Г. Кашерининов, В.Е. Харциев. Письма ЖЭТФ, 22(5), 86 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
