Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках GaAs/Si(100) по данным спектроскопии фотоотражения

Кузьменко Р.В.¹, Ганжа А.В.¹, Бочурова О.В.¹, Домашевская Э.П.¹, Шрайбер Й.², Хильдебрандт С.², Мо Ш.³, Пайнер Э.³, Шлахетцкий А.³

¹Воронежский государственный университет (физический факультет), Воронеж, Россия
²Fachbereich Physik der Martin-Luther-Universitat Halle-Witteberg, Halle/Saale, Deutschland
³Institut fur Halbleitertechnik der Technischen Universitat Braunschweig, Braunschweig, Deutschland

Поступила в редакцию: 25 мая 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В области температур T=10/ 300 K при помощи спектроскопии фотоотражения исследована температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках n-GaAs (толщина 1/ 5 мкм, концентрация электронов 10¹⁶/10¹⁷ см^-3), выращенных на подложках Si (100). Количественный анализ показывает, что спектры фотоотражения, измеряемые в энергетической области перехода E₀ GaAs, двухкомпонентны и состоят из электромодуляционной компоненты, обусловленной переходом "валентная подзона |3/2;± 1/2>-зона проводимости", и низкоэнергетической экситонной компоненты. Величина механических напряжений определяется из значения деформационно-индуцированного сдвига энергии фундаментального перехода из подзоны |3/2;±1/2> по отношению к ширине запрещенной зоны ненапряженного эпитаксиального материала, E₀(T)-E₀^|3/2;±1/2>(T). Обнаруженное увеличение энергетического сдвига E₀-E₀^|3/2;±1/2> от 22± 3 мэВ при 296 K до 29± 3 мэВ при 10 K указывает на рост биаксиального напряжения растяжения при понижении температуры.

S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoc, H. Zabel. J. Appl. Phys., 68, R31 (1990)
J.P. van der Ziel, R.D. Dupuis, R.A. Logan, C.J. Pinzone. Appl. Phys. Lett., 51, 89 (1987)
Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Landolt--Bornstein, ed. by K.-H. Hellwege, O. Madelung (Springer Verlag, Heidelberg, 1984)
M. Sugo, N. Uchida, A. Yamamoto, T. Nishoka, M. Yamaguchi. J. Appl. Phys., 65, 591 (1992)
H.-H. Wehmann, G.-P. Tang, A. Schlachetzki. Sol. St. Phenomena, 32--33, 445 (1993)
G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yague. J. Appl. Phys., 66, 196 (1989)
F.H. Pollak. Annual Reports, Mater. Res. Soc. Fall Meeting (Boston, 1995)
T. Kanata, H. Suzawa, M. Matsunaga, T. Takakura, Y. Hamakawa, H. Kato, T. Nishino. Phys. Rev. B, 41, 2936 (1990)
N. Bottka, D.K. Gaskill, R.J.M. Griffiths, R.R. Bradley, T.B. Joyce, C. Ito, D. McIntyre. J. Cryst. Growth, 93, 481 (1988)
A. Dimoulas, P. Tzanetakis, A. Georgakilas, O.J. Glembocki, A. Christou. J. Appl. Phys., 67, 4389 (1990)
M. Dutta, H. Shen, S.M. Vernon, T.M. Dixon. Appl. Phys. Lett., 57, 1775 (1990)
S. Mo, E. Peiner, A. Bartels, G.-P. Tang, A. Schlachetzki, R. Kusmenko, S. Hildebrandt, J. Schreiber. Japan. J. Appl. Phys., 35, 4238 (1996)
Р.В. Кузьменко, А.В. Ганжа, О.В. Бочурова, Э.П. Домашевская, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт, Ш. Мо, Э. Пайнер. ФТТ, 41, 725 (1999)
Abschlub bericht zum Vorschungsvorhaben "Optimierung von II/V-Si-Heterostrukturen", Schl 9/25-1, 2, Schr 428/2-1, 2 (DFG, Marz 1997)
А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТП, 32, 272 (1998)
S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber. Phys. St. Sol. (a), 152, 147 (1995)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
H. Shen, M. Dutta. J. Appl. Phys., 78, 2151 (1995)
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
H. Asai, K. Oe. J. Appl. Phys., 54, 45 (1983)
R.A. Batchelor, A.C. Brown, A. Hamnett. Phys. Rev. B, 41, 1401 (1990)
J.P. Estrera, W.M. Duncan, R. Glosser. Phys. Rev. B, 49, 1781 (1994)
Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ, 39, 2123 (1997)
C.R. Lu, J.R. Anderson, D.R. Stone, W.T. Beard, R.A. Wilson, T.F. Kuech, S.L. Wright. Phys. Rev. B, 43, 11 791 (1991)
H. Shen, M. Dutta, D.W. Eckart, K.A. Jones, S.M. Vernon, T.M. Dixon. J. Appl. Phys., 68, 369 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель