Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние границы диэлектрик--арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге

Ардышев В.М.¹, Ардышев М.В.², Хлудков С.С.²

¹Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

²Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 29 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Методом измерения вольт-фарадных характеристик исследовались концентрационные профили n(x) ²⁸Si, имплантированного в полуизолирующий GaAs (E₁=50 кэВ, F₁=8.75·10¹² см^-2 и E₂=75 кэВ, F₂=1.88·10¹² см^-2) после "электронного" отжига (P=7.6 Вт/см², t=10 с) с защитными покрытиями: SiO₂ : Sm; SiO₂, осажденный путем окисления моносилана; Si₃N₄; а также и без диэлектрика. Показано, что профили после электронного отжига залегают глубже по сравнению с расчетным и профилем после термического отжига (800^oC, 30 мин). Глубина залегания профилей зависит от диэлектрика. Наибольшее "уширение" профиля наблюдается при электронном отжиге GaAs без диэлектрика, а наименьшее - при электронном отжиге с пленкой SiO₂ : Sm. На зaвисимостях n(x) можно выделить два участка - вблизи и вдали от границы раздела. Значения диффузионных параметров и степени электроактивации Si на втором участке больше, чем на первом. Результаты интерпретируются в предположении термоупругих напряжений в GaAs вблизи границы диэлектрик-полупроводник.

В.М. Ардышев, М.В. Ардышев. ФТП, 10, 1153 (1998)
D.V. Morgan. IEEE Proceeding A, 128, 109 (1981)
В.М. Ардышев. Автореф. дис. канд. техн. наук (Томск, ТГУ, 1988)
В.М. Ардышев, Л.А. Козлова, О.Н. Коротченко, А.П. Мамонтов. А. с. на изобретение N 235899 от 01.04.86
В.А. Бурдовицын. Автореф. дис. канд. техн. наук (Томск, ТГУ, 1981)
Ю.Е. Крейндель, Н.И. Лебедева, В.Я. Мартенс. Письма ЖТФ, 8 (23), 1465 (1982)
D.H. Lee, R.M. Matbon. Appl. Phys. Lett., 30, 327 (1977)
S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 46, 2986 (1975)
В.М. Ленченко. ФТТ, 11, 799 (1969)
L.C. Kimerling. IEEE Trans. Nucl. Sci., 5-- 23, 1497 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель