Показано, что минимальная мощность импульсов электрического поля, вызывающая фазовый переход кристалл-стекло в микронных пленках халькогенидных полупроводников, не зависит от длительности импульсов tau при tau>10 мкс и растет при уменьшении tau для значений tau<1-3 мкс. Полученная зависимость сходна с той, которая наблюдается при фазовом переходе кристалл-стекло, индуцированном импульсами лазерного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.