Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора

Колин Н.Г.¹, Меркурисов Д.И.¹, Соловьев С.П.²

¹Филиал ГНЦ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
²Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия

Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.

Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

PDF версия

Исследована зависимость электрофизических свойств монокристаллических образцов InP с различными исходными концентрациями носителей заряда от условий облучения быстрыми нейтронами реактора и последующих термообработок в интервале температур 20/ 900^oC. Показано, что характер изменения электрофизических свойств зависит от уровня легирования исходного материала, а отжиг в указанном интервале температур приводит к полному устранению радиационных дефектов, что делает возможным применение метода ядерного легирования к образцам InP. Вклад от ядерных реакций на промежуточных нейтронах в общий уровень ядерного легирования образцов InP составляет ~ 10%.

L.W. Aukerman. In: Semiconductors and Semimetals, ed by R.K. Willardson, A.C. Bear (Academic Press, N.Y., 1968) v. 4. p. 343
N.P. Kekelidze, G.P. Kekelidze. Inst. Phys. Conf. Ser., 1, 387 (1977)
V.N. Broudnyi, V.A. Charchenko, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnjak, Sh.M. Rusimov. Phys. St. Sol. (a), 93, 195 (1986)
B. Lee, N. Pan, G.E. Stillman, K.L. Hess. J. Appl. Phys., 62, 1129 (1987)
V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Phys. St. Sol. (a), 132, 35 (1992)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32(3), 315 (1998)
Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18(12), 2187 (1984)
Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко, С.М. Иевлев. ФТП, 19(9), 1558 (1985)
Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. Физика и химия обраб. материалов, N 6, 3 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель