Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора
Колин Н.Г.1, Меркурисов Д.И.1, Соловьев С.П.2
1Филиал ГНЦ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Исследована зависимость электрофизических свойств монокристаллических образцов InP с различными исходными концентрациями носителей заряда от условий облучения быстрыми нейтронами реактора и последующих термообработок в интервале температур 20/ 900oC. Показано, что характер изменения электрофизических свойств зависит от уровня легирования исходного материала, а отжиг в указанном интервале температур приводит к полному устранению радиационных дефектов, что делает возможным применение метода ядерного легирования к образцам InP. Вклад от ядерных реакций на промежуточных нейтронах в общий уровень ядерного легирования образцов InP составляет ~ 10%.
- L.W. Aukerman. In: Semiconductors and Semimetals, ed by R.K. Willardson, A.C. Bear (Academic Press, N.Y., 1968) v. 4. p. 343
- N.P. Kekelidze, G.P. Kekelidze. Inst. Phys. Conf. Ser., 1, 387 (1977)
- V.N. Broudnyi, V.A. Charchenko, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnjak, Sh.M. Rusimov. Phys. St. Sol. (a), 93, 195 (1986)
- B. Lee, N. Pan, G.E. Stillman, K.L. Hess. J. Appl. Phys., 62, 1129 (1987)
- V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Phys. St. Sol. (a), 132, 35 (1992)
- В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32(3), 315 (1998)
- Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18(12), 2187 (1984)
- Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко, С.М. Иевлев. ФТП, 19(9), 1558 (1985)
- Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. Физика и химия обраб. материалов, N 6, 3 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук