Влияния одноосной деформации на электрофизические характеристики 6H-SiC p-n-структур
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Проведено исследование влияния одноосного давления на спектр электролюминисценции и вольт-амперные характеристики 6H-SiC p-n-структуры. Обнаружено, что под действием давления происходит быстрое гашение экситонной электролюминесценции и более медленное - примесных полос электролюминесценции. Было также обнаружено, что одноосное давление приводит к искажению формы прямой вольт-амперной характеристики и ее смещению в сторону меньших напряжений. Сделан вывод, что приложение давления приводило к трансформации термоинжекционных токов в туннельные.
- А.А. Каплянский. Оптика и спектроскопия, 10, 165 (1961)
- А.А. Каплянский, Н.А. Москвин, А.К. Пржевуский. Опт. и спектр., 10, 368 (1961)
- А.А. Лебедев, Н.А. Султанов, В. Экке. ФТП, 21, 321 (1987)
- Ch. Haberstroh, R. Helbig, R.A. Stein. J. Appl. Phys., 76, 509 (1994)
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Mater. Sci. Eng. B, 11, 113 (1992)
- M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. In: Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1990) p. 280
- A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diam. Relat. Mater., 3, 1393 (1994)
- В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30, 92 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
