Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследованы глубокоуровневые центры в p-n-переходах из арсенида галлия, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода или аргона. В p-слоях, выращенных в водороде, время жизни неосновных носителей на порядок больше, чем в p-слоях, выращенных в аргоне. Показано, что в различных газовых средах образуются различные глубокоуровневые центры. В образцах, выращенных в водороде, обнаружены 2 глубокоуровневых центра, являющихся ловушками для дырок. Зависимости Аррениуса для этих центров близки к известным зависимостям для центров HL2 и HL5, что позволяет идентифицировать наблюдаемые центры как HL2 и HL5. В образцах, выращенных в аргоне, обнаружен 1 глубокоуровневый центр - ловушка для дырок. Он идентифицирован как мышьяк в подрешетке галлия.
- В.Г. Никитин, И. Рачинска, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков, Т.П. Федоренко. Тез. докл. 3-й Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Одесса, 1982) т. 2, с. 146
- М.М. Соболев, П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.М. Майсурадзе. ФТП, 23, 1058 (1989)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт N 974 (Л., ФТИ, 1985)
- Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводниковых диодов в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- Л.С. Берман. Введение в физику варикапов (Л., Наука, 1968)
- A. Mitoneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
- Landolt-Borstein. New Series, v. 22b: Impurities and Deep Defects in Group IV Elements and III--V Compounds (Springer Verlag, 1989)
- J.C. Bourgoin, H.T. Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
- D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
- F. Hasegava, A. Majerfield. Electron. Lett., 11, 286 (1975)
- M. Kleverman, P. Omling, L.-A. Ledebo, H.C. Grimmeis. J. Appl. Phys., 54, 814 (1983)
- G. Lagovski, D.G. Lin, T.P. Chen, M. Skowronski, H.G. Gatos. J. Appl. Phys., 47, 929 (1985)
- C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977)
- В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
- L.S. Berman. Purity Control of Semiconductors by the Method of Capacitance Transient Spectroscopy (St.Petersburg, 1995)
- С.И. Пономарев, А.Б. Райцын, Т.В. Россина, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Тез. докл. 7-й Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986) ч. 2, с. 246
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
