Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоемкостной эффект в монополярном металл--диэлектрик--полупроводник конденсаторе при низких температурах

Пенин Н.А.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 13 октября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследован фотоемкостной эффект в монополярном МДП конденсаторе при оптической ионизации примесных атомов в полупроводниковом электроде при низких температурах. Выведены аналитические выражения для характеристик емкость-напряжение и фотоемкость-напряжение для МДП конденсатора с электродом из полупроводника p-типа. Показано, что зависимость фотоемкостной чувствительности от напряжения смещения имеет вид относительно узкого пика, величина и положение которого на оси напряжений зависит от концентрации донорной примеси. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для МДП конденсатора с электродом из кремния, легированного индием.

R.F. Pierret, S.T. Sah. Sol. St. Electr., 13, 269, 289 (1970)
A.V. Sachenko, V.A. Zuev, V.G. Litovchenko, P. Peikov. Phys. St. Sol. (a), 21, 345 (1974)
Н.Ф. Ковтонюк. ФТП, 9, 2386 (1975)
В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978) гл. 6. c. 167
A. Sher, Y.H. Tsuo, John A. Moriatry, W.E. Miller, R.K. Grouch. J. Appl. Phys., 51, 2137 (1980)
А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, В. Экке. ФТП, 15, 1438 (1981)
В.А. Зуев, В.Г. Попов. Фотоэлектриеские МДП приборы (М., Радио и связь, 1983) гл. 4, с. 89
Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП приборы для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990) гл. 1, с. 8
Н.А. Пенин. ФТП, 17, 431 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель