Бесфононные и дипольные Gamma-X-переходы электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле
Алешкин В.Я.1, Андронов А.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Вычислены вероятности бесфононных и дипольных переходов электронов между Gamma- и X-подзонами в гетероструктуре GaAs/AlAs с квантовыми ямами в присутствии сильного продольного электрического поля. Показано, что электрическое поле существенно влияет как на вероятность бесфононного Gamma-X-перехода, так и на вероятность прямого дипольного Gamma-X-перехода. Кроме того, электрическое поле изменяет спектральную зависимость коэффициента межподзонного поглощения света на Gamma-X-переходах, т. е. фактически имеется межподзонный аналог эффекта Франца-Келдыша.
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science 264, 553 (1994)
- O. Gauthier-Lafaye, F.H. Julien, S. Cabaret, J.-M. Lourtioz. Appl. Phys. Lett., 74, 1537 (1999)
- В.Я. Алешкин, А.А. Андронов. Письма ЖЭТФ, 68, 73 (1998)
- V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, E.V. Demidov. Mater. Sci. Forum, 297--298, 221 (1999)
- H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51, 1019 (1987)
- З.С. Грибников, Райчев. ФТП, 23, 2171 (1989)
- В.Я. Алешкин, Ю.А. Романов. ЖЭТФ, 87, 1857 (1984)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
- Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица и И. Стиган (М., Наука, 1979)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
