Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические явления в гетероструктурах a-Si : H/p-CuInSe₂

Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 29 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Осаждением пленок аморфного гидрированного кремния на поликристаллические подложки p-CuInSe₂ впервые получены фоточувствительные гетероструктуры a-Si : H/p-CuInSe₂. Исследованы фотоэлектрические свойства новой системы и сделан вывод о перспективах ее применения в разработках фотопреобразователей солнечного и линейно поляризованного излучений.

K. Takahashi, M. Kanagai. Amorphous Silicon Solar Cells (North Oxford Academic, London, 1986) p. 141
B. Sang, K. Dairiki, A. Yamada, M. Kanagai. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 4983 (1999)
B. Dimmler, H.W. Schock. Progr. Photovolt., 4, 425 (1996)
H.W. Schock. Appl. Surf. Sci., 92, 606 (1996)
J.R. Tuttle, J.S. Ward, A. Duda, T.A. Berens, M.A. Cotreras, K.R. Ramamnathan, A.L. Tennant, J. Keane, E.D. Cole, K. Emery, R. Noufi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 426, 143 (1996)
T. Negami, M. Nishitani, N. Kohara, Y. Hashimoto, T. Wada. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 426, 1451 (1996)
H.S. Ullal, K. Zweibel, B. von Reodern. Proc 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (1997) p. 301
Y. Ohtake, K. Kushiyama, M. Ishikawa, A. Yamada, M. Kanagai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5949 (1995)
Y. Ohtake, S. Sutichai, A. Yamada, M. Kanagai. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 3220 (1998)
S. Chaisitsak, T. Segiyama, A. Yamada, M. Kanagai. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 4989 (1999)
T.J. Coutts, L.L. Kazmerski, S. Wagner. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applicatons (Elsevier, Amsterdam, 1986)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
Н.Н. Константинова, М.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 26, 558 (1992)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель