Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe
Косяченко Л.А.1, Остапов С.Э.1, Вейгуа Сун2
1Черновицкий университет, Черновцы, Украина
2Институт оптоэлектроники, п / я 030, Лоян, Хэнань, КНР
Поступила в редакцию: 12 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Сообщаются новые экспериментальные результаты по переносу заряда в p-n-переходах на основе Hg1-xMnxTe (x~0.11). Наблюдаемые характеристики объясняются в рамках теории Саа-Нойса-Шокли с учетом особенностей рекомбинации носителей в узкозонном полупроводнике.
- A. Rogalski. Infr. Phys., 28, 139 (1988)
- A. Rogalski, J. Rutkowski. Infr. Phys., 29, 887 (1989)
- P. Brogowski, M. Mucha, J. Piotrowski. Phys. St. Sol., 114, K37 (1989)
- K.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, O.O. Bodnaruk, Sun Weiguo, Lu Zheng Xiong. Sci. Bull. Chernovtsy University. Physics, 40, 59 (1998)
- Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, О.А. Боднарук, Сун Вейгуа. ФТП, 33, 1438 (1999)
- L.O. Budulac. J. Cryst. Growth, 86, 723 (1988)
- C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- L.A. Kosyachenko, V.P. Makhniy, I.V. Potykevich. Ukr. Phys. J., 23, 279 (1978)
- A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук