Вышедшие номера
Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия
Аверкиев Н.С.1, Казакова Л.П.1, Лебедев Э.А.1, Рудь Ю.В.1, Смирнов А.Н.1, Смирнова Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Впервые проведено исследование фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и переноса носителей заряда в пористом GaAs, приготовленном на основе кристаллического GaAs (111), A и B, n-типа проводимости. Установлено, что максимумы основной полосы фотолюминесценции с поверхностей A и B наблюдаются вблизи энергий 1.82 эВ (A) и 1.88 эВ (B). Определена величина дрейфовой подвижности электронов, она составляет ~4·10-4 см2/В·с. Размер нанокристаллитов в пористом GaAs определялся как из спектров фотолюминесценции, так и из рамановского сдвига. Полученные величины оказались близкими и составляли 6-8 нм.