Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия

Аверкиев Н.С.¹, Казакова Л.П.¹, Лебедев Э.А.¹, Рудь Ю.В.¹, Смирнов А.Н.¹, Смирнова Н.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Впервые проведено исследование фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и переноса носителей заряда в пористом GaAs, приготовленном на основе кристаллического GaAs (111), A и B, n-типа проводимости. Установлено, что максимумы основной полосы фотолюминесценции с поверхностей A и B наблюдаются вблизи энергий 1.82 эВ (A) и 1.88 эВ (B). Определена величина дрейфовой подвижности электронов, она составляет ~4·10^-4 см²/В·с. Размер нанокристаллитов в пористом GaAs определялся как из спектров фотолюминесценции, так и из рамановского сдвига. Полученные величины оказались близкими и составляли 6-8 нм.

В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3, (1999)
А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 22, 13 (1996)
Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31, 1383 (1997)
Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.С. Красильник, А.В. Мурель, Д.Г. Ревин, В.И. Шашкин, И.Ю. Шулешова. Тез. докл. 2-й Рос. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996) т. 2, с. 123
Л.П. Сидорова, С.А. Гаврилов, А.В. Емельянов. Тез. докл. Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника" (Звенигород, 1998) т. 2, PP3-33
X.L. Zheng, W. Wang, H.C. Chen. Appl. Phys. Lett., 60 (8), 986 (1992)
A. Shimizu, Y. Yamada, G. Isutsu, K. Yano, M. Kasuga. Japan. J. Appl. Phys., 35, L276 (1996)
V.M. Asnin, N.S. Averkiev, A.B. Churilov, I.I. Markov, N.E. Mokrousov, A.Yu. Silov, V.I. Stepanov. Sol. St. Commun., 87, 817 (1993)
X.S. Zhao, Y.R. Ge, J. Schroder, P.D. Persans. Appl. Phys. Lett., 65, 2033 (1994)
R. Ashokan, K.P. Jain, H.S. Mavi, M. Balkanski. J. Appl. Phys., 60, 1985 (1986)
K.K. Tiong, P.M. Amrithraj, F.H. Pollak, D.E. Aspnes. Appl. Phys. Lett., 44, 122 (1984)
W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.--London, Academic Press, 1970)]
Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 609 (1997)
E.A. Lebedev, E.A. Smorgonskaya, G. Polisski. Phys. Rev. B, 57 (3), 14 607 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель