Отрицательная дифференциальная проводимость и блоховские осцилляции в естественной сверхрешетке политипа 8H карбида кремния
Санкин В.И.1, Лепнева А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Исследованы особенности электронного транспорта в сильных электрических полях в гексагональном политипе 8H-SiC, обусловленные наличием естественной сверхрешетки в структуре кристалла и связанные с периодическим потенциалом минизон в электронном спектре. Показано, что в этом политипе, как и в ранее исследованных политипах 6H- и 4H-SiC, наблюдается отрицательная дифференциальная проводимость, обусловленная эффектом блоховских осцилляций.
- Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
- G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
- L. Esaky, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
- В.И. Санкин, А.В. Наумов. Письма ЖТФ, 16 (7), 91 (1990)
- V.I. Sankin, A.V. Naumov. Springer Proc. Phys., 43, 221 (1991)
- V.I. Sankin, A.V. Naumov. Superlatt. Microstr., 10, 353 (1991)
- В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 59, 703 (1994)
- V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1994) p. 87
- V.I. Sankin. Superlatt. Microstr., 18 (4), 309 (1996)
- В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 64, 105 (1996)
- В.И. Санкин, А.В. Наумов, И.А. Столичнов. Письма ЖТФ, 17 (23), 38 (1991)
- V.I. Sankin. Inst. Phys. Conf., 142, 2.401 (1996)
- В.И. Санкин, И.А. Столичнов, А.А. Мальцев. Письма ЖТФ, 22 (24), 29 (1996)
- В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 33, 586 (1999)
- В.И. Санкин. ФТТ, 17, 1820 (1975)
- А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.