Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 7 » Статья стр. 886
<<<>>>
Cвойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP c широким мезаполосковым контактом
Голикова Е.Г.1, Курешов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Рябоштан Ю.А.1, Скрынников Г.А.1, Тарасов И.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
PDF версия
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазеры на гетероструктурах InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом, излучающие в диапазоне 1.3-1.5 мкм. Исследованы ватт-амперные и спектральные характеристики в импульсном и непрерывном режимах генерации в диапазоне температур 10-60oC. Определен перегрев активной области лазерного диода на 30-60oC относительно медного теплоотвода при насыщении мощности излучения в непрерывном режиме генерации. Установлено сильное влияние температурной зависимости дифференциальной квантовой эффективности на максимальную мощность в непрерывном режиме генерации гетеролазеров. В лазерах с мезаполосковым контактом шириной 100 мкм достигнута оптическая мощность излучения 3 и 2.6 Вт в непрерывном режиме генерации, 9 и 6.5 Вт - в импульсном режиме генерации соответственно на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм.
  1. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985); Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 19, 456 (1985)
  2. D.Z. Garbuzov, N.Yu. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B. Gulakov, S.N. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin, E.V. Rafailov. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1531 (1991)
  3. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. DeMarco, J.C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69, 1532 (1996)
  4. A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
  5. M.R. Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest, D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., 33, 2266 (1997)
  6. A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1997)
  7. S. Adachi. Physical Properties of 3--5 Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  8. D. Botes. Appl. Phys. Lett., 74, 3102 (1999)
  9. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesnidal, J. Lopez, D. Botez, J.A. Morris, P. Zory. Appl. Phys. Lett., 67, 2901 (1995)
  10. И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985)
  11. H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.P. van der Zil, T. Tanbun-Ek, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 62 (19), 2402 (1993)
  12. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 5 (2000)
  13. Е.Г. Голикова, В.П. Дураев, С.А. Козиков, В.Г. Кригель, О.А. Лабутин, В.И. Швейкин. Квант. электрон., 22, 85 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme