Вышедшие номера
Структурные исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легированного кремнием GaN, выращенного на подложке Al2O3
Черкашин Н.А.1, Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Новиков С.В.1, Cheng T.S.2, Foxon C.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England, UK
Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Методы просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура пленок GaN (0001), нелегированных и легированных кремнием с концентрациями 1017 см-3 и 1018 см-3, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Al2O3 (0001) без нитридизации и буферного слоя. Проведены исследования дефектных структур, включающих в себя инверсионные домены, полые трубки и дефекты упаковки в базовой плоскости (0001). Прослежено влияние легирования кремнием на плотность прорастающих дислокаций и размеры зерен GaN, ограниченных инверсионными доменами. Показано, что при концентрации легирующего кремния 1017 см-3 происходит сглаживание ступенчатого рельефа поверхности пленки GaN.