Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легированного кремнием GaN, выращенного на подложке Al₂O₃

Черкашин Н.А.¹, Берт Н.А.¹, Мусихин Ю.Г.¹, Новиков С.В.¹, Cheng T.S.², Foxon C.T.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England, UK

Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методы просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура пленок GaN (0001), нелегированных и легированных кремнием с концентрациями 10¹⁷ см^-3 и 10¹⁸ см^-3, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Al₂O₃ (0001) без нитридизации и буферного слоя. Проведены исследования дефектных структур, включающих в себя инверсионные домены, полые трубки и дефекты упаковки в базовой плоскости (0001). Прослежено влияние легирования кремнием на плотность прорастающих дислокаций и размеры зерен GaN, ограниченных инверсионными доменами. Показано, что при концентрации легирующего кремния 10¹⁷ см^-3 происходит сглаживание ступенчатого рельефа поверхности пленки GaN.

S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matasushita, K. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996)
X.H. Wu, L.M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 80, 3228--3237 (1996)
J.-L. Rouvier, M. Arlery, A. Bourret. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 173
D. Cherns, W.T. Young, M.A. Saunders, F.A. Pance, S. Nakamura. Proc. Royal Micros. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 187
V. Potin, P. Ruterana, G. Nouet, A. Salvador, H. Morkoc. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 191
D.M. Tricker, M.K.H. Natusch, C.B. Boothroyd, Y. Xin, P.D. Brown, T.S. Cheng, C.T. Foxon, C.J. Humphreys. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 217
S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J.W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E.R. Weber, H. Amano, I. Akasaki, Appl. Phys. Lett., 69, 990 (1996)
Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 79, 2835 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель