Распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик--полупроводник
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Рассмотрено влияние полупроводника на распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик-полупроводник. Проведен расчет степени локализации ионов у границы раздела под действием поля в пленке. Определен порог их делокализации при уменьшении напряжения на структуре. Обсуждается связь между порогами делокализации ионов и пиками ионных токов на динамических вольт-амперных характеристиках системы.
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 32, 1439 (1998)
- A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
- V.P. Romanov, Yu.A. Chaplygin. Phys. St. Sol. (a), 53, 493 (1979)
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхность и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1900)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
- F.J. Himpsel, F.R. McFeely, A. Taled-Ibrahimi, J.A. Yarmoff, G. Hollander. Phys. Rev. B, 38, 6084 (1988)
- Д.К. Белащенко. УФН, 169, 361 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук