Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик--полупроводник

Дмитриев С.Г.¹, Маркин Ю.В.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 2 сентября 1999 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

PDF версия

Рассмотрено влияние полупроводника на распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик-полупроводник. Проведен расчет степени локализации ионов у границы раздела под действием поля в пленке. Определен порог их делокализации при уменьшении напряжения на структуре. Обсуждается связь между порогами делокализации ионов и пиками ионных токов на динамических вольт-амперных характеристиках системы.

Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 32, 1439 (1998)
A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
V.P. Romanov, Yu.A. Chaplygin. Phys. St. Sol. (a), 53, 493 (1979)
Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхность и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1900)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
F.J. Himpsel, F.R. McFeely, A. Taled-Ibrahimi, J.A. Yarmoff, G. Hollander. Phys. Rev. B, 38, 6084 (1988)
Д.К. Белащенко. УФН, 169, 361 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель