Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел--CdTe

Ильчук Г.А.¹, Иванов-Омский В.И.², Рудь В.Ю.³, Рудь Ю.В.², Бекимбетов Р.Н.², Украинец Н.А.¹

¹Государственный университет "Львивська политехника",, Львов, Украина
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 2 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен новый технологический процесс формирования энергетического барьера на кристаллах теллурида кадмия и получены выпрямляющие фоточувствительные анизотипные и изотипные структуры на его основе. Исследованы и обсуждаются фотоэлектрические свойства полученных структур в зависимости от геометрии их освещения естественным и линейно поляризованным излучением. Сделан вывод о возможности применения новой технологии для создания на основе теллурида кадмия фотопреобразовательных структур различного назначения.

Polycrystalline Semuconductors V-Bulk materials, Thin Films and Devices, ed. by J.H. Werner, H.P. Strunk and H.W. Schock. Proc. 5th Int. Conf., Schwabich Gmund, Germany, Sep. 13--18, 1998 (Scitec Publ. Ltd. Switzerland, 1999)
H.S. Ullal, K. Zweibel, B. Von Roedern. Proc. 26th IEEE PVSC, Anahcim, CA USA (1997) p. 301
H. Ohyama, T. Aramoto, S. Kumazawa, H. Huguchi, T. Arita, S. Shibutani, T. Nashio, J. Nakajima, M. Tsuji, A. Hanafusa, T. Hibino, K. Omura, M. Murozono. Proc. 26th IEEE PVSC, Anaheim, CA USA (1997) p. 343
R.W. Brirkmize, E. Elser. Ann. Rev. Mater. Sci., 27, 625 (1997)
О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР, ЖНМ, 5, 1175 (1969)
Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland, Amsterdam, 1967)
Физико-технические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
Г.А. Ильчук, Н.А. Украинец, В.И. Иванов-Омский, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 553 (1999)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 954 (1999)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 425 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель