Нестационарный фотомагнитный эффект в многослойных структурах с p-n-переходами
Агарев В.Н.1, Стафеев В.И.1
1Государственное унитарное предприятие НПО "Орион", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Проведен анализ нестационарного напряжения, возникающего в супермногослойной структуре, представляющей собой последовательно включенные p-n-переходы, после подачи на нее смещения. Показано, что в таких структурах при освещении в магнитном поле возможно возникновение нестационарного фотомагнитного эффекта очень большой величины.
- В.И. Стафеев. ФТП, 6, 2134 (1972)
- В.Н. Агарев. Письма ЖТФ, 3 (13), 626 (1977)
- В.Н. Агарев. ФТП, 14, 1018 (1980)
- В.Н. Агарев. ФТП, 31, 920 (1997)
- Э.И. Адирович, Д.А. Аронов, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ФТП, 8, 354 (1974)
- Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ФТП, 5, 1415 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук