Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансия--кислород в кремнии
Макаренко Л.Ф.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах кремния n-типа проводимости, выращенных по методу Чохральского и облученных гамма-квантами 60Co. Проведен анализ применимости модели моновалентного дефекта с уровнем вблизи Ec-0.17 эВ для описания свойств A-центра в кристаллах n-Si. Показано, что модель не согласуется с имеющимися экспериментальными данными. Высказано предположение, что A-центр имеет в верхней половине запрещенной зоны два уровня: акцепторный вблизи Ec-0.16 эВ и донорный вблизи Ec-0.20 эВ. Это предположение согласуется с данными, полученными с использованием магнитно-спектроскопических методов.
- G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961)
- А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991)
- С.М. Дикман. ФТП, 26, 1427 (1992)
- G.K. Wertheim. Phys. Rev., 106, 1272 (1958)
- E. Sonder, L.C. Templeton. J. Appl. Phys., 31, 1279 (1960)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1980) с. 95
- C.A. Londos. Phys. St. Sol. (a), 113, 503 (1989)
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 1113 (1993)
- B.A. Komarov, V.I. Sopryakov. Phys. St. Sol. (a), 66, 783 (1981)
- K. Irmsher, H. Klose, K. Maas. Phys. St. Sol. (a), 75, K25 (1983)
- H.J. Stein, F.L. Vook. Phys. Rev., 163, 790 (1967)
- L.C. Kimerling. Radiation Defects in Semicond., ed. by N.B. Urli and J.W. Corbett (Inst. of Physics and Phys. Soc., London, 1977) p. 221
- S.D. Brotherton, P.J. Bradley. J. Appl. Phys., 53, 5720 (1982)
- Л.С. Берман, В.Б. Воронков, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. ФТП, 21, 140 (1987)
- J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev. A, 135, 1381 (1964)
- B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. Phys. Rev., B, 34, 8709 (1986)
- H-J. Hoffmann. Appl. Phys., 19, 307 (1979)
- Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 19, 1935 (1985)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) гл. 5
- J.A. Van Vechten, C.D. Thurmond. Phys. Rev. B, 14, 3559 (1976)
- Л.Ф. Макаренко. Докл. АН Беларуси, 40 (4), 59 (1996)
- Н.А. Витовский, Т.В. Машовец, С.М. Рывкин. ФТТ, 4, 2845 (1962)
- G.D. Watkins, J.W. Corbett, R.M. Walker. J. Appl. Phys., 30, 1198 (1959)
- J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51, 1103 (1987)
- L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 101, K107 (1987)
- A.M. Frens, M.T. Bennebroek, A. Zakrzewski, J. Schmidt, W.M. Chen, E. Janzen, J.L. Lindstrom, B. Monemar. Phys. Rev. Lett., 72, 2939 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
