Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет Линчёпинга, Линчёпинг, Щвеция
2Университет Линчёпинга, Линчёпинг, Щвеция
Поступила в редакцию: 31 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Проведено исследование параметров глубоких центров в слабо легированных слоях 4H-SiC, выращенных методами сублимационной эпитаксии и CVD. Обнаружено два глубоких центра с уровнями энергии Ec-0.18 эВ и Ec-0.65 эВ (центр Z1), которые предположительно связаны со структурными дефектами кристаллической решетки SiC. Показано, что концентрация центра Z1 уменьшалась с уменьшением концентрации нескомпенсированных доноров Nd-Na в исследованных слоях. При одинаковом значении Nd-Na она оказывалась меньше в слоях с большей плотностью дислокаций.
- А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
- J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 55, 229 (1955)
- Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov, J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
- J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter,Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
- А.А. Глаговский, Е.В. Грановский, А.К. Дроздов, В.М. Ефимов, Г.Я. Скринникова, Б.В. Смирнов, М.Г. Траваджан, М.П. Чертков, В.А. Шевченко. Матер. 2-й Всес. конф. по физике широкозонных полупроводников (Л., ЛЭТИ, 1980) c. 226
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
- M. Syvajarvi, R. Yakimova, M. Tuominen, A. Kakanakova-Georgieva, M.F. MacMillan, A. Henry, Q. Wahab, E. Janzen. J. Cryst. Growth., 197, 155 (1999)
- A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov, M.P. Scheglov, A.A. Glagovskii. Mater. Sci. Eng. B, 46, 291 (1997)
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov. Abstracts Int. Conf. on Silicon Carbide and Rel. Mater. (October 10--15, 1999, Research Tringle park, NC, USA) No 368
- M. Tuominen, R. Yakimova, M. Syvajarvi, E. Janzen. Mater. Sci. Eng. B, 61-62, 167 (1999)
- T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
- А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. ФТП, 34(9), 39 (2000)
- А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
