Вышедшие номера
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме
Лебедев А.А.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Якимова Р.2, Syvajarvi M.1, Janzen-=SUP=-*-=/SUP=- E.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Линчёпинга, Линчёпинг, Щвеция
Поступила в редакцию: 31 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Проведено исследование параметров глубоких центров в слабо легированных слоях 4H-SiC, выращенных методами сублимационной эпитаксии и CVD. Обнаружено два глубоких центра с уровнями энергии Ec-0.18 эВ и Ec-0.65 эВ (центр Z1), которые предположительно связаны со структурными дефектами кристаллической решетки SiC. Показано, что концентрация центра Z1 уменьшалась с уменьшением концентрации нескомпенсированных доноров Nd-Na в исследованных слоях. При одинаковом значении Nd-Na она оказывалась меньше в слоях с большей плотностью дислокаций.