Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме

Лебедев А.А.¹, Давыдов Д.В.¹, Савкина Н.С.¹, Трегубова А.С.¹, Щеглов М.П.¹, Якимова Р.², Syvajarvi M.¹, Janzen-=SUP=-*-=/SUP=- E.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет Линчёпинга, Линчёпинг, Щвеция

Поступила в редакцию: 31 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование параметров глубоких центров в слабо легированных слоях 4H-SiC, выращенных методами сублимационной эпитаксии и CVD. Обнаружено два глубоких центра с уровнями энергии E_c-0.18 эВ и E_c-0.65 эВ (центр Z1), которые предположительно связаны со структурными дефектами кристаллической решетки SiC. Показано, что концентрация центра Z1 уменьшалась с уменьшением концентрации нескомпенсированных доноров N_d-N_a в исследованных слоях. При одинаковом значении N_d-N_a она оказывалась меньше в слоях с большей плотностью дислокаций.

А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 55, 229 (1955)
Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov, J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter,Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
А.А. Глаговский, Е.В. Грановский, А.К. Дроздов, В.М. Ефимов, Г.Я. Скринникова, Б.В. Смирнов, М.Г. Траваджан, М.П. Чертков, В.А. Шевченко. Матер. 2-й Всес. конф. по физике широкозонных полупроводников (Л., ЛЭТИ, 1980) c. 226
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
M. Syvajarvi, R. Yakimova, M. Tuominen, A. Kakanakova-Georgieva, M.F. MacMillan, A. Henry, Q. Wahab, E. Janzen. J. Cryst. Growth., 197, 155 (1999)
A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov, M.P. Scheglov, A.A. Glagovskii. Mater. Sci. Eng. B, 46, 291 (1997)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov. Abstracts Int. Conf. on Silicon Carbide and Rel. Mater. (October 10--15, 1999, Research Tringle park, NC, USA) No 368
M. Tuominen, R. Yakimova, M. Syvajarvi, E. Janzen. Mater. Sci. Eng. B, 61-62, 167 (1999)
T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. ФТП, 34(9), 39 (2000)
А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель