Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературные особенности фотоэлектрических свойств кристаллов Cd_xHg_1-xTe с дырочной проводимостью: влияние вымораживания дырок и упругого напряжения

Гасан-заде С.Г.¹, Старый С.В.¹, Стриха М.В.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 3 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены температурные и деформационные зависимости фотопроводимости, фотоэлектромагнитного эффекта, а также темновой электрической проводимости и коэффициента Холла в p-Cd_xHg_1-xTe c cоставом x~ 0.20-0.22 при низких температурах. Показано, что рекомбинационные переходы в температурном диапазоне T<30-40 K могут быть интерпретированы в рамках двухуровневой модели Шокли-Рида с учетом вымораживания основных носителей тока - дырок. При этом второй рекомбинационный центр, который проявляется лишь в указанном диапазоне температур, является акцептором некулоновского типа с энергией ионизации порядка 10-15 мэВ.

Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимов. ФТП, 24, 209 (1990)
А.В. Войцеховский, Ю.В. Лиленко. ФТП, 15, 1457 (1981)
D.I. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52, 5118 (1981)
Н.Л. Баженов, В.И. Иванов--Омский, Н.И. Константинова, В.К. Огородников. ФТП, 16, 2102 (1982)
S.T. Schechman, E. Finkman. J. Appl. Phys., 57, 2001 (1985)
R. Fastow, Y. Nemirowsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1245 (1990)
R. Fastow, D. Goren, Y. Nemirowsky. J. Appl. Phys., 68, 3405 (1990)
V.I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchenko, A.I. Elizarov. Phys. St. Sol. ( a), 103, 11 (1987)
С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. ФТП, 33, 574 (1999)
С.E. Jones, V. Nair. Appl. Phys. Lett., 39 (3), 248 (1981)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
R. Buczko. Nuovo Cimento, 9D, 669 (1987)
М.А. Однолюбов, В.М. Чистяков. ФТП, 32, 799 (1998)
А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут. ФТП, 21, 2006 (1987)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб, ПИЯФ, 1997)
M. Lax. Phys. Rev., 119, 1502 (1960)
В.В. Акуленичев. ФТП, 16, 254 (1982)
F.T. Vasko, M.V. Strikha. Phys. St. Sol. ( b), 181, 447 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель