Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Искусственно анизотропный термоэлектрический материал с полупроводниковыми и сверхпроводящими слоями

Пшенай-Северин Д.А.¹, Равич Ю.И.¹, Ведерников М.В.²

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 апреля 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Произведен расчет термоэлектрических характеристик искусственно анизотропного материала, состоящего из полупроводниковых и сверхпроводящих слоев. Вычисляются поперечная термоэлектрическая добротность и чувствительность датчика малых тепловых потоков. Показано, что использование прослоек из высокотемпературного сверхпроводника существенно изменяет условия оптимизации геометрических параметров слоистой структуры (угла наклона слоев и отношения их толщин) по сравнению с нормальными проводниками. Термоэлектрическая добротность и чувствительность термоэлементов приготовленных из материала со сверхпроводящими прослойками, в 2-3 раза превышает соответствующие параметры структуры со слоями из металла.

В.П. Бабин, Т.С. Гудкин, З.М. Дашевский, Л.Д. Дудкин, Е.К. Иорданишвили, В.И. Кайданов, Н.В. Коломоец, О.М. Нарва, Л.С. Стильбанс. ФТП, 8, 748 (1974)
Д.М. Гельфгат, З.М. Дашевский, Л.Д. Дудкин, Н.В. Коломоец, О.М. Нарва, В.Ф. Харов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 12, 1932 (1976)
В.Л. Кузнецов, М.В. Ведерников, П. Яндель, У. Биркхольц. Письма ЖТФ, 20, 75 (1994)
Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
Э.В. Осипов. Твердотельная криогеника (Киев, Наук. думка, 1977)
Справочник химика (Л., Химия, 1971) т. 1
Ю.А. Кириченко, К.В. Русанов, Е.Г. Тюрина. Сверхпровод., физ., хим., техн., 3, 1385 (1990)
О.А. Геращенко. Основы теплометрии (Киев, Наук. думка, 1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель