Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Исследованы особенности эпитаксиального осаждения из жидкой фазы твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками GaAs (001), в области неустойчивости. Установлено, что на начальном этапе осаждения (в течение 1-2 с) растут тонкие (до 0.15 мкм) планарные слои однородных твердых растворов InGaAsP. Этому способствует большое переохлаждение расплава (на 10-15oC) и, следовательно, большие скорости роста. Далее рост замедляется, и начинается формирование естественной наногетероструктуры вследствие распада твердого раствора. Формирование наногетероструктуры, состоящей из доменов твердых растворов различного состава с разными постоянными решетками, сопровождается возникновением на поверхности образца волнистого рельефа, амплитуда которого увеличивается по мере роста слоя. Толщина слоев твердых растворов InGaAsP, содержащих наногетероструктуру, ограничена величиной 0.5 мкм при используемых технологических условиях.
- B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5--19 (1982)
- K. Onabe. Japan. J. Appl. Phys., 21, L323 (1982)
- G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
- A.G. Khachaturyan. Theory of Structural Transformations in Solids (John Wiley and Sons, N. Y., 1983)
- И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
- I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
- Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167 (3), 552 (1997)
- O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya. Japan. J. Appl. Phys., 23\^(4), L241 (1984)
- R. Kudela, M. Morvic. Phys. St. Sol. (a), 95, K1 (1986)
- S. Mukai. J. Appl. Phys., 54 (5), 2635 (1983)
- A. Zunger, S. Mahajan. In: Handbook on Semiconductor, ed. by T.S. Moss, v. 3, by ed. S. Mahajan (Elsevier, 1994) p. 1399
- A.A. Sitnikova, N.A. Bert, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. In: Int. Symp. Electron Microscopy 14 (Cancun, Mexico, 1998) p. 199
- N.A. Bert, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, V.A. Kapitonov, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, A.A. Sitnikova, I.S. Tarasov, V.A. Shchukin. Semiconductors, 33 (5), 510 (1999)
- L.S. Vavilova, V.A.Kapitonov, D.A. Livshits, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, G.V. Skrynnikov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 34 (3), 319 (2000)
- V.A. Shchukin, A.N. Starodubtsev. In: Abstr. 26th Int. Sump. on Compound Semiconductors (Berlin, 1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
