Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs

Глинчук К.Д.¹, Литовченко Н.М.¹, Прохорович А.В.¹, Стрильчук О.Н.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены изменения спектров краевой фотолюминесценции полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs, вызванные их термообработкой при 900^oC в течение 20-90 мин. Показано, что термическое воздействие существенно видоизменяет (преобразует) экситонную часть спектра. Наблюдаемые изменения в спектрах объясняются изменениями в примесном составе изучаемых кристаллов, стимулированными термообработкой.

К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1992) вып. 24, с. 66
И.Ф. Айбазов, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков. ФТП, 29, 162 (1995)
А.С. Каминский, Л.И. Колесник, Б.М. Лейферов, Я.Е. Покровский. ЖПС, 36, 745 (1982)
К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук. ФТП, 34 (5), 530 (2000)
K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk. Phys. St. Sol. (b), 213, 233 (1999)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulchner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk. 43 Int. Scientific Colloquium (Technical University of Ilmenau, Germany, 1998) v. 2, p. 588
M. Suemitsu, K. Terado, M. Nishijima, N. Miyamoto. J. Appl. Phys., 70, 2594 (1991)
Чао Чень, В.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, 35 (1994)
J. van de Ven, W.J. Hartmann, L.J. Giling. J. Appl. Phys., 60, 3735 (1986)
O. Ka, O. Oda, Y. Makita, A. Yamada. Appl. Phys. Lett., 61, 1095 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель