Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и оптоэлектронные явления в монокристаллах ZnTe и барьерах Шоттки на их основе

Ильчук Г.А.¹, Иванов-Омский В.И.², Рудь В.Ю.³, Рудь Ю.В.², Бекимбетов Р.Н.², Украинец Н.А.¹

¹Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

PDF версия

Методом газофазных реакций с применением в качестве газа - транспортера различных галогенсодержащих агентов (NH₄Cl, NH₄Br и NH₄I) выращены монокристаллы ZnTe n- и p-типа проводимости. Исследованы люминесцентные свойства кристаллов в зависимости от природы транспортера. Изготовлены барьеры Шоттки In/ZnTe. Исследован фотовольтаический эффект в полученных структурах для случая естественного и линейно поляризованного излучения. Установлено, что наведенный фотоплеохроизм барьеров Шоттки контролируется углом падения излучения и сохраняется постоянным в области высокой фоточувствительности. Сделано заключение, что полученные барьеры могут применяться в качестве широкополосных фотосенсоров линейно поляризованного излучения.

M. Strassberg, V. Kutzez, U. Pohl, A. Hoffman, I. Brozer, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fiseher, D. Gerthsen, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 72, 942 (1998)
Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. М. Авена и С. Пренера (М., Мир, 1970)
Физика соединений A^IIB^VI, под ред. А.Н. Георгобиани и М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
Г.А. Ильчук, Н.А. Украинец, В.И. Иванов-Омский, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. ФТП, 33, 553 (1999)
Г.А. Ильчук. Неорг. матер., 35 (7), 812 (1999)
Г.А. Ильчук. Неорг. матер., 35 (9), (1999)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33 (5), 513 (1999)
G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель