Изучены особенности взаимодействия частиц с плоским дефектом в полупроводниковом кристалле на основе модели зонного энергетического спектра. Показано, что вблизи дефекта существуют обобщенные локализованные состояния. Неквадратичность закона дисперсии в рассматриваемой системе приводит к появлению квазилокальных состояний. Проанализированы особенности рассеяния частиц на границе раздела полупроводниковых кристаллов. Полное отражение от границы раздела возможно при условии, когда энергия налетающей частицы совпадает с энергией квазилокального состояния. Установлено, что слабая диссипация энергии частиц в кристалле приводит к неустойчивости резонансного условия полного отражения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.