Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP / InP
Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Скрынников Г.В.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1, Фeтисова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.
С целью достижения максимальных значений внутреннего квантового выхода и выходной оптической мощности проведена оптимизация квантово-размерных лазерных гетероструктур InGaAsP / InP различных конструкций, излучающих в диапазоне длин волн 1.26-1.55 мкм. Экспериментально показано, что наибольший квантовый выход стимулированного излучения имеют гетеролазеры на базе лазерной структуры с расширенным трехступенчатым волноводом. В гетероструктурах предложенной конструкции обнаружено уменьшение выброса электронов из активной области в волновод. В лазерных диодах с шириной меза-полоска 100 мкм была получена мощность оптического излучения 4.2 Вт в непрерывном режиме генерации; квантовый выход составлял 85% при внутренних оптических потерях 3.6 см-1.
- W.T. Tsang, F.S. Choa, M.C. Wu, Y.K. Chen, A.M. Sergent, P.F. Sciortino. Appl. Phys. Lett., 58, 2610 (1991)
- T. Yamamoto, H. Nobuhara, K. Tanaka, T. Odagava, M. Sugavara, T. Fujii, K. Wakao. IEEE J. Quant. Electron., QE29, 1560 (1993)
- J.S. Osinski, P. Grodzinski, Y. Zou, P.D. Dapkus, Z. Karim, A.R. Tanguay. IEEE Photon. Technol. Lett., 4, 23 (1992)
- A. Kasukava, I.J. Murgatroyd, I. Imadjo, N. Matsumoto, T. Fukuchima, H. Okamoto, S. Kashiwa. J. Appl. Phys., 28, L661 (1989)
- A. Kasukava, T. Namegaya, N. Iwai, N. Ymanaka, Y. Ikegami, N. Tsukiji. IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 15 (1994)
- H. Sugiura, Y. Noguchi, R. Iga, T. Yamada, H. Kamada, Y. Sakai, H. Yasaka. Appl. Phys. Lett., 61, 318 (1992)
- T. Kunii, Y. Matsui, I. Katoh, T. Kamidjoh. Electron. Lett., 31, 282 (1995)
- D.Z. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forest, R. Menna, R. Martinelli, J.C. Conolly. Electron. Lett., 32, 1717 (1996)
- J. Wang, B. Smith, X. Xie, X. Wang, G.T. Burnhame. Appl. Phys. Lett., 74, 1525 (1998)
- Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 129 (2000)
- M.R. Gokhal, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forest, D. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., QE33, 2266 (1997)
- Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26, 5 (2000)
- Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 929 (1991)
- S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)
- S. Adachi. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
- Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, М.А. Иванов. ФТП, 28, 1983 (1994)
- Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32, 658 (1998)
- X. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
- M. Silver, E.P. O'Reilly. IEEE J. Quant. Electron., QE30, 547 (1994)
- З.Н. Соколова, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 1105 (1999)
- П.Г. Елисеев, И.В. Акимова. ФТП, 32, 472 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
