Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников

Базык А.И.¹, Коваленко В.Ф.¹, Миронченко А.Ю.¹, Шутов С.В.¹

¹Институт физики полупроводников Херсонского отделения Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина

Поступила в редакцию: 20 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

PDF версия

Выполнен расчет формы спектра межзонной фотолюминесценции варизонного полупроводника в условиях переноса неравновесных носителей заряда под действием встроенного квазиэлектрического поля E=e^-1nabla E_g. Показано, что деформация коротковолновой области спектра излучения происходит вследствие координатной зависимости вероятности излучательной рекомбинации в широкозонной области кристалла. Результаты расчета подтверждены измерением спектров фотолюминесценции при 300 K нелегированных (n=<q 10¹⁶ см^-3) варизонных твердых растворов Al_xGa_1-xAs со значениями E в интервале 90/ 650 В/см.

Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.И. Корольков и др. ФТП, 3 (2), 541 (1969)
Г.В. Царенков. ФТП, 13 (6), 1095 (1979)
R.G. Roedel, V.G. Keramidas. J. Appl. Phys., 50 (10), 6353 (1979)
В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 11, 208 (1977)
В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 12 (12), 1421 (1978)
В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 12 (9), 1851 (1978)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (11), 1728 (1982)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека и др. ЖПС, 42 (10), 441 (1985)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (7), 1007 (1982)
В.В. Гутов, А.Н. Именков, Р.Ф. Казаринов и др. Письма ЖТФ, 1, 386 (1975)
В.В. Гутов, А.Н. Именков, Б.С. Кондратьев и др. ФТП, 13 (9), 1336 (1979)
Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 9 (1), 12 (1975)
Р.Ф. Казаринов, Г.В. Царенков. ФТП, 10 (2), 297 (1976)
О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10 (4), 720 (1976)
В.Ф. Коваленко. Автометрия, N 6, 54 (1980)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, А.И. Курбангалеев, Г.П. Пека. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 15, 42 (1989)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
M. Konagai, K. Takahashi. Sol. St. Electron., 19, 259 (1976)
В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 14 (7), 1350 (1980)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Коваленко, И.Е. Марончук и др. ФТП, 12 (7), 1318 (1978)
О.К. Городниченко, Н.К. Дряпико, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (2), 267 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель