Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный спектр и электрофизические свойства германия с двухзарядной примесью золота по обе стороны разнодолинного перехода L1<-=_>Delta1 при всестороннем давлении до 7 ГПа
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 8 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Исследованы удельное сопротивление rho(P) и коэффициент Холла R(P)<0 в зависимости от гидростатического давления (P=< 7 ГПа) при комнатной температуре в Ge<Au, Sb> с частично заселенным при 0 K двухзарядным уровнем золота E2-Au по обе стороны разнодолинного перехода, происходящего при P=~ 2.8 ГПа. В рамках двухзонной модели рассчитаны барические зависимости rho(P) и R(P), а также холловской подвижности с учетом межзонного рассеяния, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными. Определены характеристические параметры носителей заряда и коэффициенты давления энергетических промежутков между краями L1- и Delta1-подзон зоны проводимости и уровнем E2-Au. Установлено, что положение уровня энергии двухзарядной примеси золота в германии статично относительно потолка валентной зоны. Впервые экспериментально (и по известным значениям зонных параметров) определена эффективная масса плотности состояний электронов в минимуме (100) зоны проводимости германия mdDelta=62/3(m||· m normal 2)1/3=1.05· m0. Показано, что Ge<Au2-> может быть использован для контроля гидростатичности давления до 10 ГПа.
- Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 45, 364 (1963)
- К.Б. Толпыго. ФТТ, 11, 2846 (1969)
- В.А. Тележкин, К.Б. Толпыго. ФТП, 16, 1337 (1982)
- И.М. Цидильковский. Концепция эффективной массы (Екатеринбург, УрО РАН, 1999)
- M.G. Holland, W. Paul. Phys. Rev., 128, 43 (1962)
- M.I. Nathan, W. Paul. Phys. Rev., 128, 38 (1962)
- Э.Г. Пель, В.И. Фистуль, А. Ягшыгельдыев, А.Г. Яковенко. ФТП, 14 (6), 1220 (1980)
- В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП, 11, 1914 (1977)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП, 33 (1), 36 (1999)
- А. Плиткас, А. Крокус, Л.А. Балагуров, Э.М. Омельяновский. ФТП, 14, 2123 (1980)
- М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП, 25 (3), 467 (1991)
- И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 104, вып. 1(7), 2436 (1993)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 111 (2), 562 (1997)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. Докл. РАН, 357 (5), 612 (1997)
- В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29, N 8, 84 (1986)
- L.G. Khvostantsev, V.A. Sidorov. Phys. St. Sol. (a), 46, 305 (1978)
- G.J. Piermani, S. Block, J.D. Barnett. J. Appl. Phys., 44 (12), 5377 (1973)
- Е.С. Ицкевич. ПТЭ, N 3, 6 (1999)
- А. Джайяраман, Б. Косицкий. Тр. IX Межд. конф. полупр., Москва, 1, 51 (1968)
- M.I. Daunov, A.Yu. Mollaev, R.K. Arslanov, L.A. Saypulaeva, S.F. Gabibov. Abstract. VIII Int. Conf. on High Pressure Semiconductor Physics (Thessaloniki, Greece, 1998) p. 97
- В. Пол, Д. Варшауэр. В кн.: Твердые тела под высоким давлением (М., Мир, 1966) гл. 8
- B. Levinger, L. Frankl. J. Phys. Chem. Sol., 20, 281 (1961)
- F. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev., 142, 530 (1966)
- M.R. Samuelsen. Phys. St. Sol. (b), 43, K 83 (1971)
- M.I. Nathan, W. Paul, H. Brooks. Phys. Rev., 124, 391 (1961)
- M.J. Holland, W. Paul. Phys. Rev., 128 (1), 30 (1962)
- А.Р. Гаджиев, С.М. Рывкин, И.С. Шлимак. Письма ЖЭТФ, 15, 605 (1972)
- В.С. Вавилов, А.М. Идалбаев, И.А. Курова, А. Энрикес. ФТП, 2, 407 (1980)
- М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов, В.А. Елизаров. Деп. в ВНИТИ N 2038. В. 96 от 20.08.1996. 16 с.; Известия вузов. Физика, N 12 (1996). Аннотация, с. 128
- M.I. Daunov, A.Yu. Mollaev, R.K. Arslanov, L.A. Saypulaeva. Abstract 7th Int. Conf. on High Pressure Semiconductor Physics (Gemany, 1996) P.B. 23
- E.P. Skipetrov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, E.A. Zvereva. Phys. St. Sol. ( b). 211, 539 (1999)
- И.М. Цидильковский. В кн.: Электронный спектр бесщелевых полупроводников (Свердловск, УрО РАН, 1991)
- R.K. Arslanov, S.F. Gabibov, M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov, R.Kh. Akchurin. Abstract XXXVII of the European High Pressure Research Group Meeting (Monpellier, France, 1999) P1--04
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, Р.Х. Акчурин, А.Б. Магомедов, С.Ф. Габибов. Тез. докл. IV Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 84
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
