Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава
Клименко И.А.1, Комарь В.К.2, Мигаль В.П.1, Наливайко Д.П.2
1Государственный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 14 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Показано, что низкочастотный диэлектрический отклик кристаллов Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава, определяется макроскопическими ростовыми дефектами и их упругими и электрическими полями. Взаимосогласованная перестройка этих полей при внешнем воздействии обусловливает изменение характера диэлектрического отклика, в котором отражаются особенности изменения крупномасштабного потенциального рельефа.
- V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Migal, O. Panchuk, A. Rybka. 11th Int. workshop on room temperature semiconductor X- and gamma-ray detectors and associated electronics, Oct. 11--15, Vienna, Austria (1999) p. 8
- I.A. Klimenko, V.K. Komar, V.P. Migal, D.P. Nalivaiko. Functional Materials, 7 (1), 1113 (2000)
- В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19 (8), 1517 (1985)
- Ю.А. Загоруйко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль. О.Н. Чугай. ФТП, 29 (6), 1065 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук