Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования
Мнацаканов Т.Т.1, Поморцева Л.И.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Проанализированы экспериментальные данные по подвижности электронов и дырок в трех политипах карбида кремния: 4H-SiC, 6H-SiC и 3C-SiC. Предложена полуэмпирическая модель для описания зависимости подвижности основных носителей заряда от температуры и уровня легирования. Модель хорошо описывает сумму накопленных к настоящему времени экспериментальных данных и может оказаться полезной для моделирования характеристик многослойных структур на основе карбида кремния.
- T.P. Chow, V. Khemka, J. Fedison, N.R. Ramungul, K. Matocha, Y. Tang, R.J. Gutmann. Sol. St. Electron., 44, 277 (2000)
- Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh, J.W. Palmour. Abstracts of Int. Conf on SiC and related materials (ICSCRM 1999) Pres. 170
- A. Flasser, M. Chezzo, N. Krishnamurthy, J. Kretchmer, A.W. Glock, D.M. Brown, T.P. Chow. Sol. St. Electron., 44, 317 (2000)
- F. Yang, J.H. Zhao, G.N. Olsen. Sol. St. Electron., 44, 341 (2000)
- K.J. Schoen, J.M. Woodall, J.A. Cooper, M.R. Malloch. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 1595 (1998)
- N.V. Dyakonova, P.A. Ivanov, V.A. Koslov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 2188 (1999)
- B. Li, L. Cao, J.H. Zhao. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 219 (1999)
- J. Spitz, M.R. Melloch, J.A. Cooper, M.A. Capano. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 1005 (1999)
- R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 241 (1999)
- J. Wang, B.W. Williams. Semicond. Sci. Technol., 13, 806 (1998)
- A. Elford, P.A. Mawby. Microelectronics J., 30, 524--527 (1999)
- S. Selberherr. Analysis and simulation of semiconductor devices, (Wien-N.Y., Springer Verlag, 1984)
- M. Yamanaka, H. Daimon, E. Sakuma, S. Misawa, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61, 599 (1987)
- M. Shinohara, M. Yamanaka, H. Daimon, E. Sakuma, H. Okumura, S. Misawa, K. Endo, S. Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 27, L433 (1988)
- W.J. Choyke, G. Pensl. Mater. Res. Bull., N 25 (1997)
- W.J. Schaffer, H.S. Kong, G.N. Nagley, J.W. Palmour. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 155 (1994)
- R. Mickevicius, J.H. Zhao. J. Appl. Phys., 83, 3161 (1998)
- G.D. Chen, J.Y. Lin, H.X. Jaing. Appl. Phys. Lett., 68, 1341 (1996)
- D.L. Barrett, R.B. Campbell. J. Appl. Phys., 38, 53 (1967)
- G. Rutsch, R.P. Devaty, W.J. Choyke, D.W. Langer, L.B. Rowland. J. Appl. Phys., 84, 2062 (1998)
- T. Kinoshita, M. Schadt, K.M. Itoh, J. Muto, G. Pensl. Abstracts of Int. Conf. on SiC, III-Nitrides and Related Mater. (Stockholm, Sweden, 1997) p. 631
- H.J. van Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
- D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук