Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии новых гибридных гетероструктур AlAsSb / InAs / Cd(Mg)Se и исследовании их структурных, люминесцентных и транспортных свойств. В этих структурах наблюдалась интенсивная люминесценция как в инфракрасной, так и в видимой областях спектра. Этот факт, наряду с данными структурных исследований, свидетельствует о достаточно хорошем качестве гетерограницы между слоями A^IIIB^V и A^IIB^VI. Дана теоретическая оценка взаимного расположения энергетических зон в предложенных гибридных структурах, показывающая, что граница InAs / CdSe является гетеропереходом II типа, в то время как граница InAs / Cd_0.85Mg_0.15Se представляет собой гетеропереход I типа с большим разрывом в валентной зоне Delta E_v~1.6 эВ. Полученные данные о продольном электронном транспорте вблизи гетерограницы InAs / Cd(Mg)Se находятся в хорошем соответствии с приведенной теоретической оценкой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.