Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnO2(Ni)/p-Si в условиях газовой адсорбции
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 14 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Ni)/p-Si со средним размером кристаллитов в слое диоксида олова 6-8 нм. Вольт-фарадные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Изменение частоты опорного сигнала в пределах 0.5-20 кГц позволило выделить вклад состояний на гетерогранице в емкость структуры. Показано, что адсорбция молекул NO2 приводит к уменьшению плотности состояний на гетерогранице, а адсорбция молекул спирта - к ее увеличению.
- J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
- J.N. Zemel, E. Keramati, C.W. Spivak, A.D. D'Amico. Sensors Actuators B, 1, 427 (1981)
- M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, L.I. Ryabova, J.P. Senateur, B. Chenevier, M. Labeau. Mater. Sci. Eng., 41, 333 (1996)
- Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, С.Е. Подгузова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А. Тадеев. ФТП, 33, 205 (1999)
- Р.Б. Васильев, А.М. Гаськов, М.Н. Румянцева, А.С. Рыжиков, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов. ФТП, 34, 993 (2000)
- J.A. Agapito, J.P. Santos. Sensors Actuators B, 31, 93 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
