Влияние импульсного лазерного отжига на параметры фоторезисторов на основе CdxHg1-xTe
Рыжков В.Н.1, Ибрагимова М.И.2, Барышев Н.С.1
1Федеральный научно-производственный центр "ГИПО", Казань, Россия
2Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Исследовано влияние наносекундного импульсного излучения неодимового лазера (длительность импульсов tau=10 нс, длина волны lambda=1.06 мкм) при 300 K на параметры фоторезисторов на основе Cd0.19Hg0.81Te. Установлено, что при оптимальной величине плотности энергии W=0.2-0.3 Дж/см2 происходит плавление поверхности с образованием инверсного слоя толщиной 0.04-0.52 мкм; при этом наблюдается рост чувствительности и обнаружительной способности фоторезисторов. Дальнейшее увеличение плотности энергии W приводит к ухудшению параметров фоторезисторов и росту темнового сопротивления.
- P.E. Mozol, V.V. Borsch, V.A. Gnatyuk, E.P. Kopishynskaya, A.L. Vlasenko. Semicond. Sci. Techol., 10, 61 (1995)
- M.M. Jevtic, M.J. Scepanovic. Appl. Phys. A, 53, 332 (1991)
- Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 31, 931 (1997)
- Р.М. Баязитов, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. Деп. ВИНИТИ N 4716--81 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук