Учет фонового заряда на "островке" при моделировании одноэлектронных транзисторов
Абрамов И.И.1, Новик Е.Г.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 8 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Описаны три приближения для учета влияния фонового заряда на "островке" в предложенной двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора. С их использованием можно получить хорошее согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик одноэлектронных транзисторов по разработанной модели в самых разнообразных случаях. Показана эффективность применения приближений на конкретных примерах расчета вольт-амперных характеристик транзисторов.
- Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret [NATO ASI Series B: Physics (N.Y., Plenum, 1992) v. 294]
- И.И. Абрамов, В.Г. Новик. ФТП, 33 (11), 1388 (1999)
- M. Amman, K. Mullen. J. Appl. Phys., 65, 339 (1989)
- R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 72, 61 (1998)
- И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 34 (8), 1014 (2000)
- И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Письма ЖТФ 26 (16), 63 (2000)
- И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
- M. Gotz, K. Bluthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs, E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker, H. Hegger. J. Appl. Phys., 78, 5499 (1995)
- K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 68, 34 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
