Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Волновой ударно-ионизационный пробой дрейфовых диодов с резким восстановлением
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
Впервые экспериментально обнаружено, что работа дрейфовых диодов с резким восстановлением в режиме лавинного пробоя p-n-перехода может сопровождаться возникновением осцилляций тока через p+-n-n+-структуру и напряжения на ней в режиме impact avalanche transit time, переходящих при определенных условиях к развитию обратимого волнового ударно-ионизационного пробоя p+-n-n+-структуры.
- М. Шур. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1992) кн. 2, гл. 6
- H.J. Prager, K.K.N. Chang, S. Weisbrod. Proc. IEEE, 55, 586 (1967)
- И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5, 950 (1979)
- И.В. Грехов, В.М. Ефанов, А.Ф. Кардо-Сысоев, С.В. Шендерей. Письма ЖТФ, 9, 435 (1983)
- A.F. Kardo-Sysoev, V.M. Efanov, I.G. Tchashnikov. Proc. X Pulsed Power Conference (Albuquerque, USA, 1995) p. 342
- K. Mayaram, C. Hu, D.O. Pederson. Sol. St. Electron., 43, 677 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
