Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге

Брудный В.Н.¹, Колин Н.Г.², Меркурисов Д.И.², Новиков В.А.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Филиал ГНЦ НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия

Поступила в редакцию: 28 ноября 2000 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Спектры оптического поглощения GaAs, облученного реакторными нейтронами (потоками до D=2· 10¹⁹ см^-2) при температурах 70, 350-390, 850^oC, исследованы при последующем изохронном отжиге до 1100^oC. Показано, что свободные носители (в концентрации n>~= 10¹⁷ см^-3) в облученном материале появляются при температурах отжига вблизи 400-550^oC. Оценено качество ядерно-легированного материала в зависимости от условий облучения и температуры последующего термического отжига.

Арсенид галлия. Получение и свойства, под ред. Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследова (М., Наука, 1973)
Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18, 2167 (1984)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 27, 260 (1993)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.А. Новиков, Ф.И. Нойфех, В.В. Пешев. ФТП, 31, 811 (1997)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B: Condens. Matter, 202, 429 (1995)
R. Coates, E.W.J. Mitchel. Adv. Phys., 24, 594 (1975)
Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский. ФТП, 22, 1025 (1988)
Н.Г. Колин, Б.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко, С.М. Ивлев. ФТП, 19, 1558 (1985)
J. Carrido, J.L. Castano, J. Piqueros. Phys. St. Sol., 65, 103 (1981)
J. Carrido, J.L. Castano, J. Piqueros. J. Appl. Phys., 57, 2186 (1985)
В.А. Быковский, В.А. Гирий, Ф.П. Коршунов, В.И. Утенко. ФТП, 23, 79 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель