Состояние поверхности поликристаллических слоев CdTe, облученных импульсным лазерным излучением
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Мозоль П.Е.1, Смирнов А.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
Исследованы оже-спектры, электронно-микроскопические изображения, карты-распределения химических элементов по поверхности поликристаллических слоев CdTe до и после облучения импульсами лазерного излучения модулированной добротности длительностью 2·10-8 с и плотностью энергии ниже порога разрушения или плавления материала. Показано, что лазерное облучение поликристаллических слоев: очищает поверхность от областей с диэлектрической фазой; приводит к модификации поверхности, сопровождающейся изменением стехиометрии на глубине ~3 мкм. После удаления этого слоя происходит улучшение однородности поверхности поликристиллических слоев. Оценена глубина проникновения атомов углерода в поликристаллический слой. Показано влияние изменения стехиометрии поверхности после лазерного облучения на фотоэлектрические свойства поликристаллических слоев CdTe.
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, Б.К. Дaулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 23, 56 (1993)
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Любченко, П.Е. Мозоль, А.В. Понедилок. Неорг. матер., 36, 1 (2000)
- А. Байдуллаева, Н.Е. Корсунская, Б.Б. Джумаев, П.Е. Мозоль, Г. Гарядыев. УФЖ, 34, 1019 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук