Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов

Анкудинов А.В.¹, Котельников Е.Ю.¹, Канцельсон А.А.¹, Евтихиев В.П.¹, Титков А.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 2000 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены возможности метода микроскопии электростатических сил для изучения приборных полупроводниковых структур. На примере исследования сколов лазерного диода в системе GaAlAs/GaAs показано, что применение метода позволяет находить положение и протяженность n-p-перехода в лазерной структуре, профиль падения напряжения поперек слоев структуры, а также распределение инжектированных носителей в волноводе.

G. Binnig, Ch. Gerber, E. Stell, T.R. Albert, C.F. Quake. Europhys. Lett., 3, 1281 (1987)
P. Moriarty, G. Hughes. Ultramicroscopy, 42-- 44, 956 (1992)
A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, V.P. Ulin, A.N. Titkov. Semiconductors, 33, 555 (1999)
I. Suemune, M. Hoshiyama. Japan. J. Appl. Phys., 33, pt 1, 3748 (1994)
A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 75, 2626 (1999)
G. Bratina, L. Vanzetti, A. Franciosi. Phys. Rev. B, 52, R8625 (1995)
C.C. Williams, J. Slinkman, W.P. Hough, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 55 1662 (1989)
V.V. Zavyalov, J.S. McMurray, C.C. Williams. Rev. Sci. Instrum., 70, 158 (1999)
Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 52, 1103 (1988)
D. Sarid. Scanning Force Microscopy (N.Y., Oxford University Press, 1992)
B.D. Terris, J.E. Stern, D. Rugar, H.J. Mamin. Phys. Rev. Lett., 63, 2669 (1989)
H.J. Leamy. J. Appl. Phys., 53, R51 (1982)
С.Г. Конников, В.А. Соловьев, В.Е. Уманский, А.А. Хусаинов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 21, 1648 (1987)
G. Leveque, P. Girard, E. Skouri, D. Yareka. Appl. Surf. Sci., 157, 251 (2000)
F. Robin, H. Jacobs, O. Homan, A. Stemmer, W. Bachtold. Appl. Phys. Lett., 76, 2907 (2000)
J.W. Hong, K.H. Noh, Sang-il Park, S.I. Kwun, Z.G. Khim. Phys. Rev. B, 58, 5078 (1998)
G.D. Wilk, Yi. Wei, Hal Edwards, R.M. Wallace. Appl. Phys. Lett., 70, 2288 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель