Исследовано поглощение в инфракрасной области спектра как исходных, так и термообработанных и облученных быстрыми электронами кристаллов Ge с повышенным содержанием изотопов кислорода ¹⁶O или ¹⁸O. Колебательные полосы поглощения в Ge при 780, 818 и 857 см^-1 приписаны комплексам из двух атомов кислорода (димерам) ¹⁶O, а полосы при 741, 776 и 811 см^-1 - комплексам из атомов ¹⁸O. Установлено, что облучение кристаллов вблизи комнатных температур с последующим отжигом при 120-250^oC приводит к увеличению интенсивности полос при 780 и 818 см^-1. Полоса при 857 см^-1 не изменяет свою интенсивность при облучении и по аналогии с Si отождествляется с другой конфигурацией кислородных димеров в Ge. Энергия связи димеров, обусловливающих полосы при 780 и 818 см^-1, оценена на уровне 0.35-0.4 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.