Об особенностях электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe
Белов А.Г.1, Белогорохов А.И.1, Лакеенков В.М.1
1Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Проанализированы некоторые особенности электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe p-типа проводимости при температуре жидкого азота. Показано, что принятая теоретическая модель удовлетворительно описывает полученные экспериментальные данные. Оценены погрешности определения концентрации и подвижности тяжелых дырок, возникающие, если не учитывать вклады в электрофизические параметры от электронов и легких дырок.
- L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
- А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, А.Г. Белов. ФТП, 24, 923 (1990)
- А.И. Белогорохов, А.Г. Белов, Е.А. Виноградов, Е.П. Рашевская. Препринт N 156 ФИАН СССР (М., 1988)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- G.A. Shneider. Phys. St. Sol. (a), 31, K53 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.