Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 8 » Статья стр. 969
<<<>>>
Исследование анизотропии пространственного распределения квантовых точек In(Ga)As в многослойных гетероструктурах In(Ga)As/GaAs методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии
Фалеев Н.Н.1, Мусихин Ю.Г.2, Суворова А.А.2, Егоров А.Ю.2, Жуков А.Е.2, Ковш А.Р.2, Устинов В.М.2, Tabuchi M.3, Takeda Y.3
1Present address --- Electrical Engineering Department, Texas Tech University, Lubbock, Texas,, USA
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Department of Materials Science and Engineering, Nagoya University, 46 Nagoya, Japan
Поступила в редакцию: 19 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
PDF версия
Методы высокоразрешающей рентгеновской и синхротронной дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии применены для исследования многослойных структур In(Ga)As-GaAs с массивом вертикально совмещенных квантовых точек In(Ga)As в матрице GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что в кристаллически совершенных структурах дополнительное (вертикальное и латеральное) пространственное упорядочение квантовых точек, вызывающее изгиб кристаллографических плоскостей и квазипериодическое распределение упругой деформации, существенно анизотропно по отношению к кристаллографическим направлениям типа [110]. Анизотропия формирующейся системы квантовых точек объясняется тем, что пространственное упорядочение квантовых точек и изгиб кристаллографических плоскостей являются начальными стадиями процесса релаксации упругих напряжений, вносимых в структуру квантовыми точками. Показано, что анизотропный рельеф кристаллографических плоскостей (гофрированная ростовая поверхность) обусловлен формированием системы пространственно упорядоченных квантовых квази-проволок, однородно заполненных квантовыми точками. В многослойной кристаллически совершенной гетероструктуре анизотропный рельеф кристаллографических плоскостей наследуется вышележащими слоями, постепенно уменьшаясь по амплитуде по мере удаления от источника упругих напряжений, в данном случае сверхструктуры, содержащей квантовые точки In(Ga)As.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. LeRoux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  3. Y. Arakawa, A. Yariv. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1887 (1986)
  4. M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1915 (1986)
  5. Semiconductors and Semimetals, v. 40: Epitaxial Microstructures, ed. by A.C. Gossard (Academic Press, Boston, 1994)
  6. Nanostructures and Quantum Effects, ed. by H. Sakaki, H. Noge (Springer Verlage, Berlin, 1994)
  7. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  8. S.V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Yu.M. Sherniakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, D. Bimberg. Proc. 9th Int. Conf. Superlattices, Microstructures and Microdevices (Liege, 1996); А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 31, 483 (1997)
  9. V. Holy. A.A. Darhuber, G. Bauer, P.D. Wang, Y.P. Song, C.M. Sotomayor Torres, M.C. Holland. Phys. Rev. B, 52, 8348 (1995)
  10. A.A. Darhuber, E. Koppensteiner, H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer. J. Appl. Phys., 76, 7816 (1994)
  11. A.A. Darhuber, V. Holy, J. Stangl, G. Bauer, A. Krost, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 70, 955 (1997)
  12. A.A. Darhuber, P. Schittenhelm, V. Holy, J. Stangl, G. Bauer, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 55, 15 652 (1997)
  13. N. Faleev, K. Pavlov, M. Tabuchi, Y. Takeda. Japan. J. Appl. Phys., 38, 818 (1999)
  14. N. Faleev, K. Pavlov, M. Tabuchi, Y. Takeda. Japan. J. Appl. Phys., 38, Suppl. 38-1, 277 (1999)
  15. K. Pavlov, N. Faleev, M. Tabuchi, Y. Takeda. Japan. J. Appl. Phys., 38, Suppl. 38-1, 269 (1999)
  16. Н.Н. Фалеев, К.М. Павлов, В.И. Пунегов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Устинов, M. Tabuchi, Y. Takeda. ФТП, 33, 1359 (1999)
  17. S. Rouvimov, Z. Liliental-Weber, W. Swider, J. Washburn, E.R. Weber, A. Sasaki, A. Wakahara, Y. Furkawa, T. Abe, S. Noda. J. Electron. Mater., 27, 427 (1998)
  18. A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, V.V. Volovik, A.E. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1117 (1999)
  19. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996); C. Teichert, M.G. Lagally, L.J. Peticolas, J.C. Bean, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 53, 16 334 (1996)
  20. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  21. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 51, 17 767 (1995)
  22. E. Carlino, L. Tapfer, H. von Kanel. Appl. Phys. Lett., 69, 2546 (1996)
  23. K. Shiramine, Y. Horisaki, D. Suzuki, S. Itoh, Y. Ebiko, S. Muto, Y. Nakata, N. Yokoyama. Japan. J. Appl. Phys., 37, 5493 (1998)
  24. В.Г. Груздов, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 20 (14), 1 (1994)
  25. A. Ponchet, A. Rocher, A. Ougazzaden, A. Mircea. J. Appl. Phys., 75, 7881 (1994); A. Ponchet, A. Le Corre, A. Godefroy, S. Salaun, A. Poudoulec. J. Cryst. Growth, 153, 71 (1995)
  26. R.L. Headrick, J.-M. Baribeau, Y.E. Strausser. Appl. Phys. Lett., 66, 96 (1995)
  27. T. Shimura, J. Harada. J. Appl. Crystallogr., 26, 151 (1993)
  28. N. Faleev, L. Grave de Peralta, H. Temkin, V.M. Ustinov. Abstracts X-TOP 2000 (Warsaw, 2000) S4.3
  29. N. Faleev, T. Kawamura, Y. Watanabe, V. Ustinov. Abstracts X-TOP 2000 (Warsaw, 2000) P2-HG139
  30. L. Dong, J. Schnitker, R.W. Smith, D.J. Srolovitz. J. Appl. Phys., 83, 217 (1998)
  31. N. Faleev, R. Stabenow, M. Sinitsyn, B. Yavich, A. Haase, A. Grudsky. Matter. Sci. Forum, 166--169, 293 (1994)
  32. A. Ponchet, A. Rocher, J.-Y. Emery, C. Starck, L. Goldstein. J. Appl. Phys., 77, 1977 (1995)
  33. Z.H. Ming, Y.L. Soo, S. Huang, Y.H. Kao, K. Stair, G. Devane, C. Choi-Feng. Appl. Phys. Lett., 66, 165 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme