Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства монослоев германия на кремнии

Бурбаев Т.М.¹, Заварицкая Т.Н.¹, Курбатов В.А.¹, Мельник Н.Н.¹, Цветков В.А.¹, Журавлев К.С.², Марков В.А.², Никифоров А.И.²

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 10 января 2001 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света тонких слоев германия на кремнии, выращенных при низкой температуре (250^oC). Показано, что в таких структурах, в отличие от структур, выращенных при высокой температуре, люминесценция квантовых ям наблюдается при толщине германия, превышающей ~9 монослоев. С развитием дислокаций несоответствия линии люминесценции квантовых ям сдвигаются в область больших энергий, а поперечные оптические фононы, участвующие в люминесценции, распространяются в квазидвумерном слое германия. Показано, что введение дополнительного релаксированного подслоя Si_0.95Ge_0.05 в многослойную структуру Ge / Si приводит к значительному росту интенсивности и сужению линии люминесценции квантовых точек (до 24 мэВ), что указывает на их существенное упорядочение.

P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac. Sci. Technol. B, 16 (3), 1575 (1998)
А.Б. Талочкин, А.В. Ефанов, В.А. Марков, А.И. Никифоров. Изв. РАН. Сер. физ., 63, 290 (1999)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, Б. Фойхтлендер. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 205 (2000)
Ю.Г. Садофьев, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, В.А. Цветков, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, Ю.В. Ларионов. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 273 (2000)
L.P. Rokhinson, D.C. Tsui, J.L. Benton, Y.-H. Xie. Appl. Phys. Lett., 75, 2413 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель